多年來(lái)，芯思想研究院（ChipInsights）對(duì)國(guó)內(nèi)12英寸、8英寸、6英寸晶圓生產(chǎn)線的情況進(jìn)行了長(zhǎng)期深入的跟蹤調(diào)研。
根據(jù)芯思想研究院的統(tǒng)計(jì)，截止2019年底我國(guó)12英寸晶圓制造廠裝機(jī)產(chǎn)能約90萬(wàn)片，較2018年增長(zhǎng)50%；8英寸晶圓制造廠裝機(jī)產(chǎn)能約100萬(wàn)片，較2018年增長(zhǎng)10%；6英寸晶圓制造廠裝機(jī)產(chǎn)能約230萬(wàn)片，較2018年增長(zhǎng)15%；5英寸晶圓制造廠裝機(jī)產(chǎn)能約80萬(wàn)片，較2018年下降11%；4英寸晶圓制造廠裝機(jī)產(chǎn)能約260萬(wàn)片，較2018年增長(zhǎng)30%；3英寸晶圓制造廠裝機(jī)產(chǎn)能約40萬(wàn)片，較2018年下降20%。
為了讓大家對(duì)我國(guó)新的晶圓制造線的最新情況有個(gè)了解，本文對(duì)2019年度有關(guān)中國(guó)晶圓生產(chǎn)線的最新情況進(jìn)行盤(pán)點(diǎn)，現(xiàn)將調(diào)研情況梳理如下。
共計(jì)63個(gè)項(xiàng)目，其中6個(gè)項(xiàng)目已經(jīng)停擺，刨除停擺項(xiàng)目外，其他57個(gè)項(xiàng)目宣布投資總額超過(guò)15000億人民幣，較2018年統(tǒng)計(jì)增長(zhǎng)7%。
本文分為兩大部分，一是硅基項(xiàng)目，二是化合物項(xiàng)目；每部分包括投產(chǎn)篇、產(chǎn)能爬坡篇、在建篇、規(guī)劃篇、停擺篇。
投產(chǎn)篇：2019年度宣布投產(chǎn)的晶圓制造生線
產(chǎn)能爬坡篇：2019年前投產(chǎn)的生產(chǎn)線，2019年產(chǎn)能較2018年開(kāi)始提升
在建篇：2019年度還在建設(shè)的晶圓生產(chǎn)線
規(guī)劃篇：宣布建線計(jì)劃
停擺篇：2019年度停止建設(shè)的項(xiàng)目
一、硅基項(xiàng)目（53）
投產(chǎn)篇（12）
中芯南方集成電路制造有限公司（12英寸14納米）
華虹半導(dǎo)體（無(wú)錫）有限公司（12英寸）
武漢新芯集成電路制造有限公司二期（12英寸）
三星（中國(guó)）半導(dǎo)體有限公司二期一階段
廣州粵芯半導(dǎo)體技術(shù)有限公司（12英寸）
重慶萬(wàn)國(guó)半導(dǎo)體科技有限公司（12英寸）
江蘇時(shí)代芯存半導(dǎo)體有限公司（12英寸）
SK海力士半導(dǎo)體（中國(guó)）有限公司（12英寸）
福建省晉華集成電路有限公司（12英寸）
中芯集成電路制造（紹興）有限公司（中芯紹興，8英寸）
北京燕東微電子科技有限公司（8英寸）
江蘇英銳半導(dǎo)體有限公司（6英寸）
產(chǎn)能爬坡篇（14）
上海華力集成電路制造有限公司（12英寸）
長(zhǎng)江存儲(chǔ)科技有限責(zé)任公司（12英寸）
長(zhǎng)鑫存儲(chǔ)技術(shù)有限公司（12英寸）
合肥晶合集成電路有限公司（12英寸）
聯(lián)芯集成電路制造（廈門(mén)）有限公司（12英寸）
臺(tái)積電（南京）有限公司（12英寸）
英特爾半導(dǎo)體（大連）有限公司（12英寸）
中芯國(guó)際集成電路制造（深圳）有限公司（12英寸）
中芯國(guó)際集成電路制造（天津）有限公司（8英寸）
中芯集成電路（寧波）有限公司（N1，8英寸）
杭州士蘭集昕微電子有限公司（士蘭集昕，8英寸）
上海新進(jìn)芯微電子有限公司（8英寸）
四川廣義微電子股份有限公司（6英寸）
河南芯睿電子科技有限公司（芯睿電子6英寸）
在建篇（15）
廈門(mén)士蘭集科微電子有限公司（12英寸）
武漢弘芯半導(dǎo)體制造有限公司（弘芯半導(dǎo)體，12英寸）
三星（中國(guó)）半導(dǎo)體有限公司二期二階段（12英寸）
成都紫光國(guó)芯存儲(chǔ)科技有限公司（12英寸）
芯恩（青島）集成電路有限公司（芯恩，12英寸）
泉芯集成電路制造（濟(jì)南）有限公司（泉芯集成，12英寸）
芯恩（青島）集成電路有限公司（芯恩，8英寸）
賽萊克斯微系統(tǒng)科技（北京）有限公司（賽萊克斯，8英寸）
上海積塔半導(dǎo)體有限公司（積塔半導(dǎo)體，8英寸）
中芯集成電路（寧波）有限公司二期（中芯寧波二期，8英寸）
杭州士蘭集昕微電子有限公司（士蘭集昕二期，8英寸）
海辰半導(dǎo)體（無(wú)錫）有限公司（無(wú)錫海辰，8英寸）
濟(jì)南富能半導(dǎo)體有限公司（富能半導(dǎo)體，8英寸）
吉林華微電子股份有限公司（華微電子，8英寸）
山東興華半導(dǎo)體有限責(zé)任公司（6英寸）
規(guī)劃篇（7）
華潤(rùn)微電子（重慶）有限公司（華潤(rùn)重慶，12英寸）
華潤(rùn)微電子無(wú)錫項(xiàng)目（華潤(rùn)微電子，8英寸）
上海積塔半導(dǎo)體有限公司（積塔半導(dǎo)體，12英寸）
紫光DRAM項(xiàng)目（紫光DRAM，12英寸）
青島城芯半導(dǎo)體科技有限公司（城芯半導(dǎo)體，12英寸）
四川中科晶芯集成電路制造有限責(zé)任公司（中科晶芯，8英寸）
贛州名芯半導(dǎo)體項(xiàng)目（贛州名芯，8英寸）
停擺篇（5）
南京紫光存儲(chǔ)科技控股有限公司（12英寸）
格芯（成都）集成電路制造有限公司（格芯成都，12英寸）
德淮半導(dǎo)體有限公司（12英寸）
德科碼（南京）半導(dǎo)體科技有限公司（德科碼南京，8英寸）
江蘇中璟航天半導(dǎo)體實(shí)業(yè)發(fā)展有限公司（中璟航天，8英寸）
二、化合物項(xiàng)目（10）
投產(chǎn)篇（1）
廈門(mén)士蘭明鎵化合物半導(dǎo)體有限公司（6英寸）
產(chǎn)能爬坡篇（4）
英諾賽科（珠海）科技有限公司（8英寸）
株洲中車時(shí)代電氣股份有限公司（6英寸碳化硅）
蘇州能訊高能半導(dǎo)體有限公司（氮化鎵）
江蘇能華微電子科技發(fā)展有限公司（氮化鎵）
在建篇（3）
英諾賽科（蘇州）半導(dǎo)體有限公司（8英寸）
北京世紀(jì)金光半導(dǎo)體有限公司（6英寸碳化硅）
濟(jì)南富能半導(dǎo)體有限公司（6英寸）
規(guī)劃篇（1）
上海積塔半導(dǎo)體有限公司（積塔半導(dǎo)體，6英寸）
停擺篇（1）
北京雙儀微電子科技有限公司（6英寸砷化鎵）
一、硅基項(xiàng)目
投產(chǎn)篇
中芯南方集成電路制造有限公司
（中芯南方，12英寸14納米）
2019年中芯南方集成電路制造有限公司12英寸14納米生產(chǎn)線正式投產(chǎn)，標(biāo)志著中國(guó)大陸集成電路生產(chǎn)工藝向前推進(jìn)一步，順利完成《推進(jìn)綱要》的目標(biāo)。。
2019年第一季度，中芯南方FinFET工廠首臺(tái)光刻機(jī)搬入，開(kāi)始產(chǎn)能布建。目前已經(jīng)具備月產(chǎn)能3500片規(guī)模，最終達(dá)到每月產(chǎn)能35000片的目標(biāo)。
中芯南方成立于2016年12月1日，是配合中芯國(guó)際14納米及以下先進(jìn)制程研發(fā)和量產(chǎn)計(jì)劃而建設(shè)的具備先進(jìn)制程產(chǎn)能的12英寸晶圓廠。
華虹半導(dǎo)體（無(wú)錫）有限公司一期
（華虹無(wú)錫，12英寸）
2020年1月1日舉行首批功率器件晶圓投片儀式，并和無(wú)錫新潔能簽約。華虹無(wú)錫的IC+Power戰(zhàn)略，Logic、eFlash、BCD、SOI RF和Power等工藝平臺(tái)陸續(xù)推出，可滿足無(wú)錫絕大多數(shù)設(shè)計(jì)公司。
2019年5月24日首臺(tái)設(shè)備搬入，并舉行了HHFAB7廠授牌儀式。2019年6月6日華虹無(wú)錫集成電路研發(fā)和制造基地12英寸生線一期3臺(tái)光刻機(jī)臺(tái)搬入；2019年9月17日試投片生產(chǎn)，標(biāo)志著中國(guó)第一條12英寸90納米/55納米工藝的功率器件生產(chǎn)線投產(chǎn)。
2017年8月2日，華虹宏力與無(wú)錫市政府及國(guó)家集成電路產(chǎn)業(yè)投資基金（大基金）簽訂了一份投資協(xié)議，三方將在無(wú)錫投資建設(shè)一座12英寸晶圓廠。據(jù)介紹，大基金向華虹注資9.22億美元，其中4億美元投給華虹半導(dǎo)體，持股18.94%；5.22億美元投給華虹無(wú)錫，持股29%。
華虹無(wú)錫集成電路研發(fā)和制造基地項(xiàng)目占地約700畝，總投資100億美元，一期項(xiàng)目總投資約25億美元，新建一條工藝等級(jí)90-65/55納米、月產(chǎn)能約4萬(wàn)片的12英寸特色工藝集成電路生產(chǎn)線，支持5G和物聯(lián)網(wǎng)等新興領(lǐng)域的應(yīng)用。
武漢新芯集成電路制造有限公司二期
（新芯二期，12英寸）
2019年二期擴(kuò)產(chǎn)項(xiàng)目已經(jīng)順利投產(chǎn)。
2018年8月28日，武漢新芯集成電路制造有限公司召開(kāi)二期擴(kuò)產(chǎn)項(xiàng)目現(xiàn)場(chǎng)推進(jìn)會(huì)在武漢召開(kāi)。據(jù)悉武漢新芯二期擴(kuò)產(chǎn)項(xiàng)目規(guī)劃總投資17.8億美元；2018年12月開(kāi)始進(jìn)入設(shè)備安裝調(diào)試。
據(jù)悉，二期將緊抓物聯(lián)網(wǎng)和5G運(yùn)用的市場(chǎng)機(jī)遇，建設(shè)NOR Flash（自主代碼型）閃存、微控制器和三維特種工藝三大業(yè)務(wù)平臺(tái)，相當(dāng)于再造一個(gè)武漢新芯。
根據(jù)規(guī)劃，武漢新芯的NOR Flash閃存能力每個(gè)月擴(kuò)充8000片，從月產(chǎn)能1.2萬(wàn)片擴(kuò)至月能2萬(wàn)片，微控制器每個(gè)月擴(kuò)充5000片，計(jì)劃用5年時(shí)間把武漢新芯建設(shè)成中國(guó)物聯(lián)網(wǎng)芯片領(lǐng)導(dǎo)型企業(yè)。
三星（中國(guó)）半導(dǎo)體有限公司二期一階段
（三星西安X2-PH1，12英寸）
2019年7月開(kāi)始設(shè)備安裝調(diào)試，目前已經(jīng)開(kāi)始試運(yùn)行生產(chǎn)，為量產(chǎn)做準(zhǔn)備，2020年3月正式量產(chǎn)。
2018年3月，三星宣布在西安舉行了3D NAND閃存芯片二期一階段項(xiàng)目奠基儀式。
三星半導(dǎo)體西安存儲(chǔ)芯片基地進(jìn)行了重新規(guī)劃，將二期項(xiàng)目分為兩個(gè)階段，目前在建的做為二期第一階段，投資70億美元，規(guī)劃月產(chǎn)能6萬(wàn)片，到2020年底，西安3D NAND月產(chǎn)能將由目前的12萬(wàn)片增至18萬(wàn)片，增幅約50%。
廣州粵芯半導(dǎo)體技術(shù)有限公司
（廣州粵芯，12英寸）
2019年9月20日，粵芯半導(dǎo)體第一階段的生產(chǎn)線正式投產(chǎn)。
2019年3月15日，廣州粵芯半導(dǎo)體有限公司舉行了12英寸生產(chǎn)線設(shè)備搬入儀式，首批進(jìn)入的設(shè)備來(lái)自全球前五大半導(dǎo)體設(shè)備供應(yīng)商，包括ASML的光刻機(jī)、AMAT的晶圓缺陷檢測(cè)設(shè)備、LAM Research的刻蝕設(shè)備、TEL的涂膠顯影設(shè)備和KLA的檢測(cè)和量測(cè)設(shè)備。3月19日，有多臺(tái)國(guó)產(chǎn)設(shè)備開(kāi)始搬入并安裝調(diào)試；2019年6月29日，粵芯半導(dǎo)體宣布，第一階段的生產(chǎn)線調(diào)試已經(jīng)完成，首批樣品已經(jīng)出貨，良率已達(dá)到預(yù)期目標(biāo)。
2018年3月開(kāi)始樁基工程，10月11日舉行了12英寸集成電路生產(chǎn)線項(xiàng)目主廠房封頂；12月7日潔凈室正壓送風(fēng)。
2017年12月舉行開(kāi)工儀式，這是國(guó)內(nèi)第一座以虛擬IDM (Virtual IDM) 為營(yíng)運(yùn)策略的12英寸晶圓廠，也是廣州第一條12英寸晶圓生產(chǎn)線。
粵芯半導(dǎo)體項(xiàng)目投資70億元，新建廠房及配套設(shè)施共占地14萬(wàn)平方米。建成達(dá)產(chǎn)后，粵芯半導(dǎo)體將實(shí)現(xiàn)月產(chǎn)40000片12英寸晶圓的生產(chǎn)能力，采用130nm到180nm工藝節(jié)點(diǎn)生產(chǎn)，產(chǎn)品包括微處理器、電源管理芯片、模擬芯片、功率分立器件等，滿足物聯(lián)網(wǎng)、汽車電子、人工智能、5G等創(chuàng)新應(yīng)用的模擬芯片需求。
重慶萬(wàn)國(guó)半導(dǎo)體科技有限公司
（重慶萬(wàn)國(guó)，12英寸）
2019年上半年，重慶萬(wàn)國(guó)完成了12英寸生產(chǎn)線設(shè)備安裝，7月開(kāi)始小批量12英寸晶圓生產(chǎn)。
2015年9月，兩江新區(qū)管委會(huì)與萬(wàn)國(guó)半導(dǎo)體科技有限公司簽訂“12英寸功率半導(dǎo)體芯片制造及封裝測(cè)試生產(chǎn)基地項(xiàng)目投資協(xié)議”，2016年4月22日成立重慶萬(wàn)國(guó)，將主要從事功率半導(dǎo)體器件（含功率MOSFET、IGBT等功率集成電路）的產(chǎn)品設(shè)計(jì)和生產(chǎn)制造。2017年2月動(dòng)工建設(shè)。2018年3月開(kāi)始搬入設(shè)備并裝機(jī)。
萬(wàn)國(guó)半導(dǎo)體科技有限公司是全球技術(shù)領(lǐng)先的功率半導(dǎo)體企業(yè)，該項(xiàng)目總投資10億美元，將分二期建設(shè)。其中，項(xiàng)目一期投資約5億美元，建筑面積93111平方米，預(yù)計(jì)每月生產(chǎn)2萬(wàn)片芯片、封裝測(cè)試5億顆芯片；二期投資約5億美元，預(yù)計(jì)每月生產(chǎn)5萬(wàn)片芯片、封裝測(cè)試12.5億顆半導(dǎo)體芯片。
江蘇時(shí)代芯存半導(dǎo)體有限公司
（時(shí)代芯存，12英寸）
2019年8月26日，時(shí)代全芯發(fā)布了基于相變材料的2兆位可編程只讀相變存儲(chǔ)器產(chǎn)品（EEPROM）“溥元611”，標(biāo)志著中國(guó)首條PCRAM后道生產(chǎn)線投產(chǎn)，其前道生產(chǎn)還是選擇和華力微合作。
2019年4月，KLA和日立（Hitachi）的量測(cè)機(jī)臺(tái)，以及Wet Etch、CVD機(jī)臺(tái)陸續(xù)搬入。2018年4月10日，生產(chǎn)線核心設(shè)備ASML 1950Hi光刻機(jī)進(jìn)廠安裝，1950Hi可滿足38納米工藝生產(chǎn)。
2018年12月公司入選工信部存儲(chǔ)器“一條龍”應(yīng)用計(jì)劃“示范企業(yè)”，年產(chǎn)10萬(wàn)片12英寸相變存儲(chǔ)器項(xiàng)目入選“示范項(xiàng)目”，是少數(shù)幾家入選“示范企業(yè)”和“示范項(xiàng)目”的公司 ，更是全國(guó)唯一一家相變存儲(chǔ)器（PCM）入選的公司。
2016年9月28日，項(xiàng)目正式破土動(dòng)工；2017年3月1日，年產(chǎn)10萬(wàn)片12英寸相變存儲(chǔ)器項(xiàng)目舉行動(dòng)工儀式；2017年11月9日主廠房封頂。
江蘇時(shí)代芯存半導(dǎo)體有限公司正式致力于開(kāi)發(fā)及生產(chǎn)搭載最新PCM技術(shù)的存儲(chǔ)產(chǎn)品。江蘇淮安PCRAM生產(chǎn)項(xiàng)目總投資130億元，一期投資43億元。公司宣稱擁有相變存儲(chǔ)器完整的技術(shù)和工藝的知識(shí)產(chǎn)權(quán)及產(chǎn)業(yè)化能力，已制定了未來(lái)十年的產(chǎn)品規(guī)劃。2017年6月16日，與IBM公司就相變存儲(chǔ)知識(shí)產(chǎn)權(quán)移轉(zhuǎn)淮安簽約暨大容量存儲(chǔ)產(chǎn)品研發(fā)合作啟動(dòng)儀式舉行。
SK海力士半導(dǎo)體（中國(guó)）有限公司
（SK海力士，12英寸）
2019年4月18日SK海力士半導(dǎo)體（中國(guó)）有限公司舉行了無(wú)錫工廠擴(kuò)建（C2F）竣工儀式，不過(guò)海力士對(duì)于產(chǎn)能爬坡不是太積極。
2018年11月30日，首臺(tái)生產(chǎn)裝備開(kāi)始搬入廠房。
2016年11月二工廠破土動(dòng)工，2017年10月29日，SK海力士與無(wú)錫市政府就海力士新上二工廠項(xiàng)目簽約，總投資高達(dá)86億美元。擴(kuò)建完成之后，到滿產(chǎn)時(shí)，無(wú)錫基地將形成月產(chǎn)能20萬(wàn)片10納米制程等級(jí)的晶圓生產(chǎn)基地。
SK海力士半導(dǎo)體（中國(guó)）有限公司是由韓國(guó)SK海力士株式會(huì)社于2005年4月投資設(shè)立的半導(dǎo)體制造工廠，主要生產(chǎn)12英寸半導(dǎo)體集成電路芯片。
SK海力士半導(dǎo)體（中國(guó)）有限公司在錫進(jìn)行了多次增資及技術(shù)升級(jí)，累計(jì)投資額約200億美元。
福建省晉華集成電路有限公司
（晉華集成，12英寸）
2019年以來(lái)，筆者在多個(gè)場(chǎng)合見(jiàn)到晉華集成副總，雖然并未透露任何有關(guān)晉華的信息，但其代表晉華公開(kāi)現(xiàn)身，應(yīng)該表明“晉華仍在運(yùn)轉(zhuǎn)當(dāng)中”。
2018年10月30日，美國(guó)商務(wù)部以國(guó)家安全為由，宣布自10月30日起對(duì)晉華集成實(shí)施出口管制，被美國(guó)列入出口管制“實(shí)體清單”的中國(guó)企業(yè)。限制對(duì)其出口，原因是該公司新增的存儲(chǔ)芯片生產(chǎn)能力將威脅到為軍方提供此類芯片的美國(guó)供應(yīng)商的生存能力。目前項(xiàng)目陷入危機(jī)中。
2016年2月26日，晉華集成在福建省晉江市成立；2016年4月，臺(tái)灣經(jīng)濟(jì)部投審會(huì)通過(guò)聯(lián)電和晉華集成合作共同開(kāi)發(fā)32納米DRAM制程；由聯(lián)電在南科研發(fā)，再移轉(zhuǎn)到晉華集成生產(chǎn)；2016年5月，晉華集成與聯(lián)電簽署技術(shù)合作協(xié)議，開(kāi)發(fā)DRAM相關(guān)制程技術(shù)。由晉華支付技術(shù)報(bào)酬金，開(kāi)發(fā)出的DRAM技術(shù)成果，將由雙方共同擁有；2016年6月9日晉華集成首座12英寸晶圓廠項(xiàng)目立項(xiàng)備案；2016年7月，晉華集成首座12英寸晶圓廠舉行施工典禮；2016年10月18日，晉華集成首座12英寸晶圓廠正式開(kāi)工建設(shè)；2017年11月，晉華集成首座12英寸晶圓廠廠房封頂；2018年7月晉華集成首座12英寸晶圓廠工藝設(shè)備進(jìn)場(chǎng)安裝，計(jì)劃年底進(jìn)行小規(guī)模投片試產(chǎn)。
晉華集成是由福建省電子信息集團(tuán)、及泉州、晉江兩級(jí)政府共同出資設(shè)立，被納入我國(guó)“十三五”集成電路重大生產(chǎn)力布局規(guī)劃。晉華集成電路與臺(tái)灣聯(lián)華電子開(kāi)展技術(shù)合作，專注于DRAM產(chǎn)品領(lǐng)域。預(yù)估2018年9月正式投產(chǎn)，到2019年底一廠一期項(xiàng)目可實(shí)現(xiàn)月產(chǎn)6萬(wàn)片12英寸晶圓的產(chǎn)能，到2020年底一廠二期也將達(dá)產(chǎn)6萬(wàn)片。并適時(shí)啟動(dòng)二廠的建設(shè)，到二廠達(dá)產(chǎn)時(shí)，總產(chǎn)能將達(dá)24萬(wàn)片。
中芯集成電路制造（紹興）有限公司
（中芯紹興，8英寸）
2109年11月16日，中芯集成電路制造（紹興）有限公司宣布8英寸生產(chǎn)線通線投片，2020年3月正式量產(chǎn)。
2019年6月19日，主體工程結(jié)頂；9月搬入工藝設(shè)備，10月完成了151臺(tái)套設(shè)備的安裝調(diào)試。
2018年5月18日，中芯紹興8英寸廠房項(xiàng)目舉行奠基儀式，標(biāo)志著中芯國(guó)際微機(jī)電和功率器件產(chǎn)業(yè)化項(xiàng)目正式落地紹興。
2018年3月1日，中芯紹興項(xiàng)目舉行簽約儀式，項(xiàng)目首期投資58.8億元人民幣。
北京燕東微電子科技有限公司
（北京燕東，8英寸）
2019年12月燕東微電子8英寸生產(chǎn)線投片，經(jīng)過(guò)多次工藝試驗(yàn)后，目前良率已經(jīng)達(dá)到預(yù)期。
2019年6月25日，燕東微電子8英寸生產(chǎn)線首批設(shè)備正式搬入。首臺(tái)搬入的設(shè)備是北方華創(chuàng)的刻蝕機(jī)。
2018年12月31日，燕東微電子8英寸Mini-line試驗(yàn)線第一片晶圓正式下線，實(shí)現(xiàn)了Trench MOSFET 30V產(chǎn)品全流程貫通，器件功能良好，電性能測(cè)試單片良率超80%。這是燕東微電子在8英寸晶圓制造的里程碑。
2018年4月15日，燕東微電子8英寸集成電路項(xiàng)目舉行上梁儀式，6月29日主廠房封頂。
江蘇英銳半導(dǎo)體有限公司
（江蘇英銳，6英寸）
江蘇英銳半導(dǎo)體有限公司6英寸廠于2019年第四季度試生產(chǎn)運(yùn)營(yíng)。
江蘇英銳半導(dǎo)體有限公司是由深圳英銳集團(tuán)子公司盈信通科技（香港）有限公司投資建設(shè)，于2018年3月正式啟動(dòng)，項(xiàng)目總投資1.5億美元。項(xiàng)目達(dá)產(chǎn)后，可年產(chǎn)芯片60萬(wàn)片，主要生產(chǎn)功率分立器件。
從日本、美國(guó)引進(jìn)生產(chǎn)所需光刻機(jī)、離子注入機(jī)、刻蝕機(jī)、PECVD、濺射臺(tái)等共計(jì)415臺(tái)（套）。
產(chǎn)能爬坡篇
上海華力集成電路制造有限公司
（華力二期，12英寸）
自投產(chǎn)以來(lái)，上海華力集成電路制造有限公司（華力二期，HH FAB6）的產(chǎn)能迅速爬坡，2019年第二季度達(dá)月產(chǎn)10000片，到第四季度達(dá)月產(chǎn)20000片。
2018年10月18日，上海華力集成電路制造有限公司（華力二期，HH FAB6）生產(chǎn)線正式投片，首批12英寸硅片進(jìn)入機(jī)臺(tái)，開(kāi)始28納米工藝芯片制造。
2016年12月30日上海華力集成電路制造有限公司（華力二期，HHFAB6）12英寸先進(jìn)生產(chǎn)線開(kāi)工建設(shè)；2017年5月20日樁基工程完工，開(kāi)始主廠房鋼結(jié)構(gòu)屋架吊裝，11月2日廠房主體結(jié)構(gòu)完成；2018年5月21日實(shí)現(xiàn)首臺(tái)工藝設(shè)備光刻機(jī)搬入。
上海華力集成電路制造有限公司（華力二期，HH FAB6）12英寸先進(jìn)生產(chǎn)線建設(shè)項(xiàng)目是上海市最大的集成電路產(chǎn)業(yè)投資項(xiàng)目，總投資387億元人民幣，建成月產(chǎn)能4萬(wàn)片的12英寸集成電路芯片生產(chǎn)線，工藝覆蓋28-14納米技術(shù)節(jié)點(diǎn)。項(xiàng)目計(jì)劃于2022年底達(dá)產(chǎn)。
長(zhǎng)江存儲(chǔ)科技有限責(zé)任公司
（長(zhǎng)江存儲(chǔ)，12英寸）
2019年長(zhǎng)江存儲(chǔ)32層3D NAND閃存芯片實(shí)現(xiàn)全速量產(chǎn)；9月64層3D NAND閃存芯片已經(jīng)開(kāi)始生產(chǎn)。目前月產(chǎn)能約2萬(wàn)片，2020年將爬坡至5萬(wàn)片。
2018年第四季度，長(zhǎng)江存儲(chǔ)一期工程正式投產(chǎn)，32層3D NAND閃存芯片成功實(shí)現(xiàn)小規(guī)模量產(chǎn)。
2016年7月26日，長(zhǎng)江存儲(chǔ)有限責(zé)任公司成立；2016年12月30日，國(guó)家存儲(chǔ)器基地項(xiàng)目正式開(kāi)工建設(shè)；2017年7月，32層3D NAND 芯片T/O（設(shè)計(jì)完成）；2017年9月，國(guó)家存儲(chǔ)器基地項(xiàng)目一期工程提前封頂；2017年11月，耗資10億美元、1000人團(tuán)隊(duì)歷時(shí)2年研發(fā)的32層3D NAND 芯片完成首次驗(yàn)證；2018年4月11日，一期工程生產(chǎn)機(jī)臺(tái)正式進(jìn)場(chǎng)安裝。
國(guó)家存儲(chǔ)器基地項(xiàng)目規(guī)劃，預(yù)計(jì)5年投入1600億元（約合240億美元），到2020年形成月產(chǎn)能30萬(wàn)片的生產(chǎn)規(guī)模，到2030年建成每月100萬(wàn)片的產(chǎn)能。
長(zhǎng)鑫存儲(chǔ)技術(shù)有限公司
（長(zhǎng)鑫存儲(chǔ)，12英寸）
2019年9月20日宣布正式量產(chǎn)，目前裝機(jī)月產(chǎn)能20000片。
2019年5月15日的GSA Memory+論壇上，長(zhǎng)鑫存儲(chǔ)董事長(zhǎng)朱一明表示，公司DRAM項(xiàng)目計(jì)劃年內(nèi)大規(guī)模投產(chǎn)，產(chǎn)生正向現(xiàn)金流，實(shí)現(xiàn)商業(yè)可持續(xù)。長(zhǎng)鑫存儲(chǔ)DRAM技術(shù)來(lái)源于奇夢(mèng)達(dá)，持續(xù)投入研發(fā)超過(guò)25億美元，并不斷完善自身研發(fā)技術(shù)；長(zhǎng)鑫存儲(chǔ)完成了第一座12英寸DRAM存儲(chǔ)器晶圓廠建設(shè)，技術(shù)和產(chǎn)品研發(fā)有序開(kāi)展，已持續(xù)投入晶圓超15000片。
2016年5月6日合肥12英寸存儲(chǔ)器“506項(xiàng)目”啟動(dòng)；2017年3月廠房開(kāi)工；2018年1月開(kāi)始設(shè)備安裝；2018年7月16日，合肥12英寸存儲(chǔ)器“506項(xiàng)目”正式投片；2018年底19納米產(chǎn)品第一階段成果通過(guò)鑒定。
根據(jù)規(guī)劃，長(zhǎng)鑫存儲(chǔ)合肥12英寸晶圓廠分為三期，第一期滿載產(chǎn)能為12萬(wàn)片，預(yù)計(jì)分為三個(gè)階段執(zhí)行，第一階段要完成單月4萬(wàn)片，目前為2萬(wàn)片，2020年第一季底達(dá)到4萬(wàn)片。2020年開(kāi)始規(guī)劃建設(shè)二期項(xiàng)目，并于2021年完成17納米工藝的DRAM研發(fā)。
合肥晶合集成電路有限公司
（合肥晶合，12英寸）
2019年底月產(chǎn)能達(dá)到20000片規(guī)模，較2018年12月擴(kuò)增1倍。
2018年，晶合以110納米-180納米工藝制造LCD驅(qū)動(dòng)芯片。由于因?yàn)楣蓹?quán)問(wèn)題，和力晶陷入冷凍期，此后不再?gòu)牧нM(jìn)行技轉(zhuǎn)，而是自研55納米工藝技術(shù)邏輯工藝，原計(jì)劃2019年量產(chǎn)，目前看來(lái)較計(jì)劃有所落后。
2015年10月20日，晶合總投資128.1億元人民幣的12英寸晶圓制造基地項(xiàng)目（一期）開(kāi)工；2016年11月16日晶合集成一期舉行封頂儀式；2017年4月20日，晶合集成主機(jī)臺(tái)進(jìn)駐；2017年6月28日投產(chǎn)；2017年9月25日達(dá)到量產(chǎn)標(biāo)準(zhǔn)；2017年10月1日宣布正式量產(chǎn)。
公司計(jì)劃建置4座12英寸晶圓廠。其中一期投入資金超過(guò)百億元，目前已完成N1、N2兩個(gè)廠房主體的建設(shè)，N1廠計(jì)劃2020年達(dá)到滿產(chǎn)每月4萬(wàn)片規(guī)模。
聯(lián)芯集成電路制造（廈門(mén)）有限公司
（廈門(mén)聯(lián)芯，12英寸）
2019年聯(lián)芯集成一期滿載月產(chǎn)能約為25000萬(wàn)片，實(shí)際產(chǎn)出每月18000+片。
聯(lián)芯集成電路制造（廈門(mén)）有限公司為臺(tái)灣聯(lián)華電子與廈門(mén)市人民政府及福建省電子信息集團(tuán)合資成立之一流晶圓專工企業(yè)，于福建省廈門(mén)市從事集成電路制造，提供12英寸晶圓專工服務(wù)。聯(lián)芯集成電路制造公司于2014年底開(kāi)始籌建，2015年3月26日奠基動(dòng)工，2016年11月開(kāi)始投產(chǎn)，可提供40nm及28nm的晶圓專工服務(wù)，一期月產(chǎn)能為25000片12英寸晶圓。
廈門(mén)聯(lián)芯廠在引進(jìn)28納米制程后，2017年第二季度投產(chǎn)5000片，第三季度投產(chǎn)12000片。2017年12月13日通過(guò)189.9億元新臺(tái)幣（約合6.3億美元）資本預(yù)算執(zhí)行案，間接增資廈門(mén)聯(lián)芯集成電路制造有限公司，擴(kuò)增晶圓廠產(chǎn)能。2018年第一季度月產(chǎn)能將擴(kuò)增至16000片規(guī)模，2018年年底實(shí)現(xiàn)月產(chǎn)25000片的目標(biāo)。
臺(tái)積電（南京）有限公司
（臺(tái)積電南京，12英寸）
2019年月產(chǎn)能提升為15000片，2020年第一季達(dá)到20000片的規(guī)劃產(chǎn)能。
2018年10月31日，臺(tái)積電正式對(duì)外宣布南京12英寸晶圓廠FAB16量產(chǎn)，提供12寸16nm FinFET晶圓代工業(yè)務(wù)。
2015年年底，臺(tái)積電宣布，已向臺(tái)灣“投審會(huì)”遞件申請(qǐng)赴大陸設(shè)立12英寸晶圓廠與設(shè)計(jì)服務(wù)中心，設(shè)立地點(diǎn)確定為江蘇省南京市江北新區(qū)，投資金額大約在30億美元；2016年3月28日臺(tái)積電南京項(xiàng)目正式落戶南京，2016年7月7日項(xiàng)目一期正式開(kāi)工建設(shè)；2017年9月12日，臺(tái)積電南京公司舉行了機(jī)臺(tái)MOVE-IN典禮；2018年5月晶圓廠開(kāi)始試投產(chǎn)。
這次臺(tái)積南京也打破了多項(xiàng)臺(tái)積的紀(jì)錄，第一是建廠最快，從動(dòng)土到進(jìn)機(jī)只花了14個(gè)月，第二是上線最快，進(jìn)機(jī)到開(kāi)始生產(chǎn)不到半年的時(shí)間；第三，這是最美、最宏偉、最有特色的臺(tái)積廠區(qū)。
英特爾半導(dǎo)體（大連）有限公司
（英特爾大連，12英寸）
2019年月產(chǎn)能為85000片。
2018年第二季，英特爾宣布大連的Fab 68二期投產(chǎn)，主要生產(chǎn)96層的3D NAND閃存。
2015年10月19日，英特爾與大連市舉行“大連?英特爾非易失性存儲(chǔ)制造”項(xiàng)目簽約。英特爾宣布，為了積極追趕競(jìng)爭(zhēng)對(duì)手的市占率，F(xiàn)ab 68二期改造工程總投資55億美元，該戰(zhàn)略性計(jì)劃是英特爾深化其非易失性存儲(chǔ)器業(yè)務(wù)發(fā)展戰(zhàn)略的一個(gè)重要舉措。
此項(xiàng)投資符合英特爾大連工廠的長(zhǎng)期發(fā)展策略，也體現(xiàn)了英特爾與中國(guó)共成長(zhǎng)的長(zhǎng)期發(fā)展承諾。
中芯國(guó)際集成電路制造（深圳）有限公司
（中芯深圳，12英寸）
中芯國(guó)際深圳基地12英寸MINI晶圓生產(chǎn)線月產(chǎn)能3000片。
中芯國(guó)際深圳基地規(guī)劃一條月產(chǎn)能4萬(wàn)片的12英寸產(chǎn)線，聚焦在0.11微米到55納米這些工藝的生產(chǎn)，2017年第4季投產(chǎn)。
中芯國(guó)際集成電路制造（天津）有限公司二期
（中芯天津，8英寸）
2019年二期月產(chǎn)能維持20000片裝機(jī)規(guī)模。
根據(jù)公司財(cái)報(bào)，天津一期裝機(jī)產(chǎn)能為45000片，2018年第四季天津基地產(chǎn)能達(dá)60000片，較2018年第二季增長(zhǎng)了20%。
2017年2月擴(kuò)產(chǎn)項(xiàng)目正式啟動(dòng)。2018年7月，中芯國(guó)際天津廠舉行了P2 Full Flow擴(kuò)產(chǎn)計(jì)劃的首臺(tái)設(shè)備進(jìn)駐儀式。公司在2018年持續(xù)對(duì)天津基地進(jìn)行投資以擴(kuò)充產(chǎn)能。
2016年10月18日開(kāi)始，正式啟動(dòng)天津廠產(chǎn)能擴(kuò)充計(jì)劃，該計(jì)劃預(yù)計(jì)投資金額為15億美金。在計(jì)劃完成后，產(chǎn)能將達(dá)到每月15萬(wàn)片的規(guī)模，有望成為全球最大的單體8英寸晶圓的生產(chǎn)基地。
中芯集成電路（寧波）有限公司一期
（寧波中芯N1，8英寸）
一期規(guī)劃月產(chǎn)能15000萬(wàn)。
2018年第三季度，中芯寧波8英寸特種工藝N1產(chǎn)線生產(chǎn)設(shè)備進(jìn)廠，2018年11月2日正式投產(chǎn)。
這是中芯支持建設(shè)的特色工藝生線。中芯集成電路（寧波）有限公司由中芯晶圓與寧波勝芯、華創(chuàng)投資等聯(lián)合成立。公司將通過(guò)對(duì)相關(guān)知識(shí)產(chǎn)權(quán)和技術(shù)的收購(gòu)、吸收、提升和發(fā)展，在高壓模擬半導(dǎo)體以及包括射頻與光電特色器件在內(nèi)的模擬和特色工藝半導(dǎo)體技術(shù)領(lǐng)域，開(kāi)發(fā)、建立新的核心器件及技術(shù)平臺(tái)，以支持客戶面向智能家電、工業(yè)與汽車電子、新一代射頻通訊以及AR/VR/MR等專用系統(tǒng)應(yīng)用的芯片設(shè)計(jì)、產(chǎn)品開(kāi)發(fā)。
中芯集成電路（寧波）有限公司分為N1（租用小港安居路現(xiàn)有廠房）與N2（柴橋）兩個(gè)項(xiàng)目，將建成為中國(guó)最大的模擬半導(dǎo)體特種工藝的研發(fā)、制造產(chǎn)業(yè)基地，采用專業(yè)化晶圓代工與定制產(chǎn)品代工相結(jié)合的新型商業(yè)模式，并提供相關(guān)產(chǎn)品設(shè)計(jì)服務(wù)平臺(tái)。
杭州士蘭集昕微電子有限公司
（士蘭集昕，8英寸）
一期8英寸生產(chǎn)線的產(chǎn)能規(guī)劃40000片，目前已經(jīng)趨于飽和。
2015 年開(kāi)工建設(shè)；2016 年1月主要生產(chǎn)廠房已結(jié)頂，部分生產(chǎn)設(shè)備運(yùn)抵公司；2016 年 12 月底，主廠房建設(shè)、凈化裝修和機(jī)電動(dòng)力設(shè)備安裝等均已完工，部分工藝設(shè)備也已安裝完畢并進(jìn)入調(diào)試階段預(yù)計(jì)。
2017年3 月產(chǎn)出第一片合格芯片；2017年6月正式投入量產(chǎn)；2017年12月實(shí)現(xiàn)月產(chǎn)15000片；當(dāng)年共產(chǎn)出芯片5.71 萬(wàn)片。
2018年公司進(jìn)一步加快8英寸芯片生產(chǎn)線投產(chǎn)進(jìn)度，已有高壓集成電路、高壓MOS管、低壓MOS管、肖特基管、IGBT等多個(gè)產(chǎn)品導(dǎo)入量產(chǎn)。2018年6月，月產(chǎn)能達(dá)20000片，全年總共產(chǎn)出芯片30萬(wàn)片。
上海新進(jìn)芯微電子有限公司
（上海新進(jìn)，8英寸）
2019年年底增加到月產(chǎn)15000片晶圓。
自2015年啟動(dòng)6英寸升級(jí)計(jì)劃，2016年8英寸設(shè)備開(kāi)始進(jìn)廠安裝調(diào)試，2017年第四季完成了對(duì)8英寸晶圓質(zhì)量評(píng)估。2018年第一季度末每月產(chǎn)能達(dá)3000片8英寸晶圓，2018年年底增加到月產(chǎn)10000片晶圓。
四川廣義微電子股份有限公司
（四川廣義，6英寸）
2019年7月19日《英飛凌技術(shù)轉(zhuǎn)移項(xiàng)目》全面啟動(dòng)，按節(jié)點(diǎn)完成IFXGEN5.0、GEN7.0的產(chǎn)品量產(chǎn)。月產(chǎn)能爬坡順利，至12月，月產(chǎn)能達(dá)60000片。
2018年12月，在北京燕東微電子的支持下，公司6英寸月產(chǎn)能順利達(dá)到30000片，較2018年7月的12000片，增長(zhǎng)了150%。
2017年8月18日公司“0.25微米6英寸MOSFET”芯片項(xiàng)目一期生產(chǎn)線的正式投產(chǎn)；2018年6月與英飛凌簽訂了戰(zhàn)略合作協(xié)議；2018年8月與北京燕東微電子公司簽訂增資入股協(xié)議。
四川廣義微電子股份有限公司是一家專業(yè)化的集成電路設(shè)計(jì)、制造、銷售于一體的IDM高科技企業(yè)，公司規(guī)劃月產(chǎn)能15萬(wàn)片。
河南芯睿電子科技有限公司
（芯睿電子，6英寸）
2019年底，芯睿電子6英寸生產(chǎn)線月產(chǎn)能達(dá)20000片。
芯睿電子6英寸線于2018年6月6英寸開(kāi)始全面投產(chǎn)，達(dá)產(chǎn)后，將形成年產(chǎn)20億只智能終端產(chǎn)品用超小型傳聲器。
芯睿電子與中科院固體物理所、西安電子科技大學(xué)等知名科研院所深度合作，組建的光電傳感與集成應(yīng)用河南省重點(diǎn)實(shí)驗(yàn)室、聲電轉(zhuǎn)換專用集成電路河南省工程實(shí)驗(yàn)室、微電子研究院成為企業(yè)持續(xù)創(chuàng)新、保持技術(shù)領(lǐng)先的秘密所在。公司獨(dú)有的“0.33微米厚度聲電轉(zhuǎn)換芯片技術(shù)”一些關(guān)鍵技術(shù)指標(biāo)達(dá)到了國(guó)際先進(jìn)水平。
在建篇
廈門(mén)士蘭集科微電子有限公司
（士蘭集科，12英寸）
2019年5月開(kāi)始土建；8月完成樁基工程，主體施工開(kāi)始，2019年12月23日主廠房封頂。預(yù)計(jì)2020年投產(chǎn)。
2018年10月18日，士蘭微廈門(mén)12英寸特色工藝芯片生產(chǎn)線舉行開(kāi)工典禮。
12英寸特色工藝芯片項(xiàng)目總投資170億元，建設(shè)兩條以MEMS、功率器件為主要產(chǎn)品的12英寸集成電路制造生產(chǎn)線。第一條12英寸產(chǎn)線，總投資70億元，工藝線寬90nm，計(jì)劃月產(chǎn)8萬(wàn)片，分兩期實(shí)施：其中一期總投資50億元，實(shí)現(xiàn)月產(chǎn)能4萬(wàn)片，將于2020年投產(chǎn)；項(xiàng)目二期總投資20億元，新增月產(chǎn)能4萬(wàn)片。而第二條12英寸產(chǎn)線為項(xiàng)目三期，預(yù)計(jì)總投資100億元，工藝線寬65nm--90nm。
項(xiàng)目由廈門(mén)士蘭集科微電子有限公司負(fù)責(zé)，公司注冊(cè)資本為20億元，其中廈門(mén)半導(dǎo)體投資集團(tuán)以貨幣出資17億元，占股85%；士蘭微以貨幣出資3億元，占股15%。
武漢弘芯半導(dǎo)體制造有限公司
（弘芯半導(dǎo)體，12英寸）
2019年12月22日，首臺(tái)ASML光刻機(jī)搬入。
2019年7月3日，蔣爸尚義正式加盟弘芯；7月4日，主廠房封頂。目前有消息說(shuō)公司正在商談14納米光掩模制版事宜。
2018年9月11日弘芯半導(dǎo)體制造產(chǎn)業(yè)園項(xiàng)目舉行開(kāi)工儀式。公司宣稱立志成為全球第二大CIDM晶圓廠。（筆者實(shí)在不知全球第一大CIDM晶圓廠是哪家公司？）
項(xiàng)目總投資1280億元，主要從事12英寸晶圓的集成電路制造代工業(yè)務(wù)。項(xiàng)目計(jì)劃于2019年上半年完成主廠房工程施工，2019年下半年正式投產(chǎn)。項(xiàng)目一期設(shè)計(jì)產(chǎn)能月產(chǎn)4.5萬(wàn)片，預(yù)計(jì)2019年底投產(chǎn)；二期采用最新的制程工藝技術(shù)，設(shè)計(jì)月產(chǎn)能4.5萬(wàn)片，預(yù)2021年第四季度投產(chǎn)。
公司表示，主要運(yùn)營(yíng)邏輯先進(jìn)工藝、成熟主流工藝、以及射頻特種工藝，并持續(xù)研發(fā)世界先進(jìn)的制程工藝。
三星（中國(guó)）半導(dǎo)體有限公司二期二階段
（三星西安X2-PH2，12英寸）
2019年12月25日三星西安基地二期二階段正式開(kāi)工建設(shè)。預(yù)計(jì)2021年投產(chǎn)。
2019年12月10日，三星西安基地二期二階段投資正式啟動(dòng)，預(yù)計(jì)投資達(dá)80億美元，規(guī)劃月產(chǎn)能7萬(wàn)片。
三星西安基地二期一階段月產(chǎn)能6萬(wàn)片，已經(jīng)日前開(kāi)始投片試產(chǎn)，將于2020年3月正式量產(chǎn)。
二期整體完工后，西安總產(chǎn)能將高達(dá)25萬(wàn)片。
成都紫光國(guó)芯存儲(chǔ)科技有限公司
（紫光成都，12英寸）
目前正在澆土建筏板，整體進(jìn)度相對(duì)遲緩！原預(yù)計(jì)2020年第三季投產(chǎn)的時(shí)間表應(yīng)該要推后。
2018年10月12日，紫光成都存儲(chǔ)器制造基地項(xiàng)目開(kāi)工。
據(jù)介紹，紫光成都存儲(chǔ)器制造基地項(xiàng)目占地面積約1200畝，總投資達(dá)240億美元，將建設(shè)12英寸3D NAND存儲(chǔ)器晶圓生產(chǎn)線，并開(kāi)展存儲(chǔ)器芯片及模塊、解決方案等關(guān)聯(lián)產(chǎn)品的研發(fā)、制造和銷售，旨在打造世界一流的半導(dǎo)體產(chǎn)業(yè)基地。據(jù)悉，項(xiàng)目全部建成將可形成月產(chǎn)芯片30萬(wàn)片。
芯恩（青島）集成電路有限公司
（芯恩，12英寸）
目前12英寸廠房還在建設(shè)中。
芯恩（青島）集成電路項(xiàng)目正在建設(shè)特色型工藝的8英寸集成電路生產(chǎn)線一條，國(guó)內(nèi)最先進(jìn)數(shù)?；旌瞎に嚨?0納米12英寸集成電路生產(chǎn)線一條，國(guó)內(nèi)最先進(jìn)14納米光掩膜版生產(chǎn)線一條，芯片測(cè)試廠一個(gè)以及組建嵌入式芯片32位MCU集成電路設(shè)計(jì)團(tuán)隊(duì)。
2018年3月30日，寧波芯恩半導(dǎo)體科技有限公司和青島西海岸新區(qū)管委、青島國(guó)際經(jīng)濟(jì)合作區(qū)管委、青島澳柯瑪控股集團(tuán)有限公司簽署框架協(xié)議，打造中國(guó)首個(gè)CIDM集成電路項(xiàng)目；2018年4月6日完成項(xiàng)目立項(xiàng)備案，4月18日項(xiàng)目公司完成注冊(cè)，注冊(cè)名稱為芯恩(青島)集成電路有限公司（注冊(cè)資本12.5億元，實(shí)繳資本2.231億元），4月25日完成首筆資金注入；2018年5月18日芯恩集成電路項(xiàng)目舉行開(kāi)工典禮；2018年12月13日，簽署投資合作協(xié)議。
芯恩（青島）集成電路項(xiàng)目分兩期建設(shè)，總投資約188億元。項(xiàng)目開(kāi)工日期為2018年8月12日，工程接收日為2019年12月26日，工期總?cè)諝v天數(shù)為501日歷天。
泉芯集成電路制造（濟(jì)南）有限公司
（泉芯集成，12英寸）
泉芯集成12英寸晶圓制造線于2019年第一季度開(kāi)工建設(shè)。目前到位資金約50億。
泉芯集成12英寸晶圓制造線計(jì)劃采用12nm/7nm的工藝節(jié)點(diǎn)。
股東包括逸芯集成技術(shù)（珠海）有限公司80%、濟(jì)南高新控股集團(tuán)有限公司10%、濟(jì)南產(chǎn)業(yè)發(fā)展投資集團(tuán)有限公司10%。
逸芯集成技術(shù)（珠海）有限公司2018年11月28日成立，注冊(cè)資本1億元人民幣。注冊(cè)地是珠海市橫琴新區(qū)寶華路6號(hào)105室-64419(集中辦公區(qū))。法定代表人是曹山。高管信息包括：夏勁秋總經(jīng)理。
芯恩（青島）集成電路有限公司
（芯恩，8英寸）
2019年10月28日宣布8英寸項(xiàng)目廠房封頂，12月27日高調(diào)宣布首臺(tái)設(shè)備Olympus AL3120搬入。經(jīng)咨詢，Olympus AL3120是一臺(tái)顯微鏡。
芯恩（青島）集成電路項(xiàng)目正在建設(shè)特色型工藝的8英寸集成電路生產(chǎn)線一條，國(guó)內(nèi)最先進(jìn)數(shù)?；旌瞎に嚨?0納米12英寸集成電路生產(chǎn)線一條，國(guó)內(nèi)最先進(jìn)14納米光掩膜版生產(chǎn)線一條，芯片測(cè)試廠一個(gè)以及組建嵌入式芯片32位MCU集成電路設(shè)計(jì)團(tuán)隊(duì)。
2018年3月30日，寧波芯恩半導(dǎo)體科技有限公司和青島西海岸新區(qū)管委、青島國(guó)際經(jīng)濟(jì)合作區(qū)管委、青島澳柯瑪控股集團(tuán)有限公司簽署框架協(xié)議，打造中國(guó)首個(gè)CIDM集成電路項(xiàng)目；2018年4月6日完成項(xiàng)目立項(xiàng)備案，4月18日項(xiàng)目公司完成注冊(cè)，注冊(cè)名稱為芯恩(青島)集成電路有限公司（注冊(cè)資本12.5億元，實(shí)繳資本2.231億元），4月25日完成首筆資金注入；2018年5月18日芯恩集成電路項(xiàng)目舉行開(kāi)工典禮；2018年12月13日，簽署投資合作協(xié)議。
芯恩（青島）集成電路項(xiàng)目分兩期建設(shè)，總投資約188億元。項(xiàng)目開(kāi)工日期為2018年8月12日，工程接收日為2019年12月26日，工期總?cè)諝v天數(shù)為501日歷天。
賽萊克斯微系統(tǒng)科技（北京）有限公司
（賽萊克斯，8英寸）
2019年12月25日，賽萊克斯北京8英寸項(xiàng)目一期開(kāi)始設(shè)備搬入，較原計(jì)劃有所遲緩。
2018年賽萊克斯微系統(tǒng)科技（北京）有限公司繼續(xù)完善核心管理及人才團(tuán)隊(duì)，推進(jìn)8英寸MEMS國(guó)際代工線建設(shè)項(xiàng)目的建設(shè)，2018年11月基礎(chǔ)工程建設(shè)已部分封頂。項(xiàng)目規(guī)劃分三期建設(shè)。
原2019年第3季度一期達(dá)到試生產(chǎn)狀態(tài)，2020年形成新增產(chǎn)能；二期預(yù)計(jì)2012年投產(chǎn)；三期預(yù)計(jì)在2023年投產(chǎn)，2024年力爭(zhēng)實(shí)現(xiàn)滿載，形成年產(chǎn)能38萬(wàn)片8英寸MEMS硅晶圓。
上海積塔半導(dǎo)體有限公司
（積塔半導(dǎo)體，8英寸）
2019年12月28日8英寸廠房開(kāi)始設(shè)備搬入。
2019年5月21日，上海積塔半導(dǎo)體有限公司8英寸特色工藝生產(chǎn)線項(xiàng)目廠房舉行了結(jié)構(gòu)封頂儀式。
積塔半導(dǎo)體特色工藝生產(chǎn)線項(xiàng)目總投資359億元，目標(biāo)是建設(shè)月產(chǎn)能6萬(wàn)片的8英寸生產(chǎn)線和5萬(wàn)片12英寸特色工藝生產(chǎn)線，還將建設(shè)一條6英寸碳化硅生產(chǎn)線，將在國(guó)內(nèi)首家實(shí)現(xiàn)12英寸65納米BCD工藝，建設(shè)一條汽車級(jí)IGBT專用生產(chǎn)線。
產(chǎn)品重點(diǎn)面向工控、汽車、電力、能源等領(lǐng)域，將顯著提升中國(guó)功率器件（IGBT）、電源管理、傳感器等芯片的核心競(jìng)爭(zhēng)力和規(guī)模化生產(chǎn)能力。
2018年8月16日，積塔半導(dǎo)體有限公司特色工藝生產(chǎn)線項(xiàng)目正式開(kāi)工。
中芯集成電路（寧波）有限公司二期
（寧波中芯N2，8英寸）
2019年2月28日，中芯寧波特種工藝N2項(xiàng)目正式開(kāi)工。規(guī)劃月產(chǎn)能45000萬(wàn)。
N2項(xiàng)目位于寧波市北侖區(qū)柴橋，項(xiàng)目用地面積192畝，建筑面積20萬(wàn)平方米，項(xiàng)目總投資39.9億元，建設(shè)工期2019年-2021年，2019年計(jì)劃投資5億元。
根據(jù)規(guī)劃，N2項(xiàng)目建成后將形成年產(chǎn)33萬(wàn)片8英寸特種工藝芯片產(chǎn)能，同期開(kāi)發(fā)高壓模擬、射頻前端、特種半導(dǎo)體技術(shù)制造和設(shè)計(jì)服務(wù)。
這是中芯支持建設(shè)的特色工藝生線。中芯寧波分為N1（小港）與N2（柴橋）兩個(gè)項(xiàng)目，將建成為中國(guó)最大的模擬半導(dǎo)體特種工藝的研發(fā)、制造產(chǎn)業(yè)基地，采用專業(yè)化晶圓代工與定制產(chǎn)品代工相結(jié)合的新型商業(yè)模式，并提供相關(guān)產(chǎn)品設(shè)計(jì)服務(wù)平臺(tái)。
杭州士蘭集昕微電子有限公司
（士蘭集昕二期，8英寸）
士蘭集昕擬對(duì)8英寸線進(jìn)行技術(shù)改造。本項(xiàng)目利用士蘭集昕現(xiàn)有的公用設(shè)施，在現(xiàn)有生產(chǎn)線的基礎(chǔ)上，通過(guò)增加生產(chǎn)設(shè)備及配套設(shè)備設(shè)施，形成新增年產(chǎn)43.2萬(wàn)片8英寸芯片制造能力。
本項(xiàng)目總投資15億元，建設(shè)周期約為五年，分兩期進(jìn)行。其中，一期計(jì)劃投資6億元，形成年產(chǎn)18萬(wàn)片8英寸芯片的產(chǎn)能。二期計(jì)劃投資9億元，形成年產(chǎn)25.2萬(wàn)片8英寸芯片的產(chǎn)能。
海辰半導(dǎo)體（無(wú)錫）有限公司
（無(wú)錫海辰，8英寸）
2019年12月12日，首批從韓國(guó)搬遷的工藝設(shè)備搬入海辰半導(dǎo)體廠房。
2019年2月27日，海辰半導(dǎo)體新建8英寸非存儲(chǔ)晶圓廠主廠房正式封頂。
2018年7月SK海力士表示，旗下晶圓代工子公司SK海力士系統(tǒng)IC公司與無(wú)錫市政府旗下的無(wú)錫產(chǎn)業(yè)發(fā)展集團(tuán)有限公司組成的合資公司，2018年下半年啟動(dòng)工廠的建設(shè)。
海辰半導(dǎo)體項(xiàng)目將建設(shè)200毫米晶圓模擬生產(chǎn)線，項(xiàng)目總投資67.9億，規(guī)劃年產(chǎn)能126萬(wàn)片8英寸晶圓，主要生產(chǎn)面板驅(qū)動(dòng)IC(DDI)、電源管理IC(PMIC)、CMOS影像感測(cè)器(CIS)。
SK海力士系統(tǒng)IC公司負(fù)責(zé)半導(dǎo)體生產(chǎn)設(shè)備，而無(wú)錫產(chǎn)業(yè)發(fā)展集團(tuán)則負(fù)責(zé)提供其他必要的基礎(chǔ)設(shè)施。據(jù)悉SK海力士位于韓國(guó)清州M8廠的設(shè)備將在2021年底前運(yùn)至無(wú)錫。
濟(jì)南富能半導(dǎo)體有限公司
（富能半導(dǎo)體，8英寸）
2019年12月4日，富能半導(dǎo)體一期項(xiàng)目成功封頂。
2019年3月15日，富能半導(dǎo)體一期項(xiàng)目舉行樁基工程。據(jù)悉一期項(xiàng)目投資60億元，建設(shè)月產(chǎn)3萬(wàn)片8英寸硅基半導(dǎo)體功率芯片（MOSFET、IGBT）和月產(chǎn)一千片的6英寸碳化硅功率器件的產(chǎn)能，產(chǎn)品覆蓋消費(fèi)、工業(yè)、電網(wǎng)以及新能源車的應(yīng)用，計(jì)劃2020年底實(shí)現(xiàn)量產(chǎn)。
富能半導(dǎo)體成立于2018年11月8日，法人代表陳昱升，持股40%，另60%的持有人是濟(jì)南富杰產(chǎn)業(yè)投資基金；富能半導(dǎo)體項(xiàng)目規(guī)劃建設(shè)月產(chǎn)10萬(wàn)片的兩個(gè)8英寸廠及一個(gè)月產(chǎn)5萬(wàn)片的12英寸廠。
濟(jì)南富杰產(chǎn)業(yè)投資基金的股東包括濟(jì)南產(chǎn)業(yè)發(fā)展投資集團(tuán)有限公司、思華（北京）投資管理有限公司、富士邁半導(dǎo)體精密工業(yè)（上海）有限公司、鴻富晉精密工業(yè)（太原）有限公司、訊芯電子科技（中山）有限公司。
富士邁半導(dǎo)體、鴻富晉、訊芯電子都是富士康集團(tuán)的關(guān)聯(lián)企業(yè)，這也說(shuō)明該項(xiàng)目確實(shí)和富士康有一定的關(guān)系。
吉林華微電子股份有限公司
（華微電子，8英寸）
華微電子8英寸生產(chǎn)線籌備將近十年，終于有望實(shí)現(xiàn)。目前購(gòu)買設(shè)備和廠房建設(shè)同步進(jìn)行。
2019年4月1日，華微電子公告，擬配股募集資金不超過(guò)10億元（含發(fā)行費(fèi)用），扣除發(fā)行費(fèi)用后的凈額擬全部用于新型電力電子器件基地項(xiàng)目（二期）的建設(shè)。項(xiàng)目建成后，華微電子將具有年產(chǎn)8英寸芯片24萬(wàn)片的加工能力。產(chǎn)品包括重點(diǎn)應(yīng)用于工業(yè)傳動(dòng)、消費(fèi)電子等領(lǐng)域，形成600V-1700V各種電壓、電流等級(jí)的IGBT芯片；同時(shí)包括應(yīng)用于各領(lǐng)域的具有成熟產(chǎn)業(yè)化技術(shù)的MOSFET芯片，以及與公司主流產(chǎn)品配套的IC芯片。
華微電子是中國(guó)功率半導(dǎo)體器件領(lǐng)域首家主板A股上市公司，是飛利浦、松下、日立、海信、創(chuàng)維、長(zhǎng)虹等國(guó)內(nèi)外知名企業(yè)的配套供應(yīng)商。
山東興華半導(dǎo)體有限責(zé)任公司
（山東興華,6英寸）
2019年6月15日，據(jù)稱是由我國(guó)最早的半導(dǎo)體制造公司香港興華半導(dǎo)體工業(yè)有限公司投資的山東興華半導(dǎo)體項(xiàng)目在日照開(kāi)工。運(yùn)營(yíng)主體是5月17日注冊(cè)成立的山東興華半導(dǎo)體有限責(zé)任公司。
項(xiàng)目計(jì)劃總投資50億元，分兩期建設(shè)，一期計(jì)劃建設(shè)一條年產(chǎn)36萬(wàn)片的5英寸/6英寸的晶圓制造線，二期建設(shè)一條8英寸集成電路晶圓制造線。
香港興華成立1979年，1982年5英寸晶圓生產(chǎn)線開(kāi)始運(yùn)營(yíng)，公司主要提供1.5μm/2.0μm/3.0μm /5.0μm硅柵CMOS、2.0μm低壓金屬柵CMOS、5.0μm高壓金屬柵CMOS工藝制程。
興華半導(dǎo)體為我國(guó)培養(yǎng)了大批的半導(dǎo)體工藝制程人才，目前國(guó)內(nèi)很多晶圓生產(chǎn)線的高管都在此工作過(guò)。
規(guī)劃篇
華潤(rùn)微電子（重慶）有限公司
（華潤(rùn)重慶，12英寸）
華潤(rùn)重慶基地將利用現(xiàn)有廠房建設(shè)12英寸生產(chǎn)線。
2018年11月5日，華潤(rùn)微電子與西永微電園簽署協(xié)議，共同發(fā)展12英寸晶圓生產(chǎn)線項(xiàng)目，該項(xiàng)目投資約100億元，建設(shè)12英寸功率半導(dǎo)體晶圓生產(chǎn)線，將主要生產(chǎn)MOSFET、IGBT、電源管理芯片等功率半導(dǎo)體產(chǎn)品。
華潤(rùn)微電子無(wú)錫項(xiàng)目
（華潤(rùn)微電子，8英寸）
根據(jù)華潤(rùn)微電子招股說(shuō)明書(shū)顯示，公司計(jì)劃在無(wú)錫基地?cái)U(kuò)建一條8英寸生產(chǎn)線。
上海積塔半導(dǎo)體有限公司
（積塔半導(dǎo)體，12英寸）
12英寸特色芯片工藝生產(chǎn)線計(jì)劃2023年投產(chǎn)。
積塔半導(dǎo)體特色工藝生產(chǎn)線項(xiàng)目總投資359億元，目標(biāo)是建設(shè)月產(chǎn)能6萬(wàn)片的8英寸生產(chǎn)線和5萬(wàn)片12英寸特色工藝生產(chǎn)線，還將建設(shè)一條6英寸碳化硅生產(chǎn)線，將在國(guó)內(nèi)首家實(shí)現(xiàn)12英寸65納米BCD工藝，建設(shè)一條汽車級(jí)IGBT專用生產(chǎn)線。
產(chǎn)品重點(diǎn)面向工控、汽車、電力、能源等領(lǐng)域，將顯著提升中國(guó)功率器件（IGBT）、電源管理、傳感器等芯片的核心競(jìng)爭(zhēng)力和規(guī)?；a(chǎn)能力。
紫光DRAM項(xiàng)目
（紫光DRAM，12英寸）
紫光國(guó)芯DRAM存儲(chǔ)芯片制造工廠原預(yù)計(jì)2019年底開(kāi)工建設(shè)，預(yù)計(jì)2021年建成投產(chǎn)。但截止目前，紫光國(guó)芯集成電路股份有限公司還沒(méi)有注冊(cè)成立。
2019年8月27日，紫光集團(tuán)和重慶市人民政府簽署紫光存儲(chǔ)芯片產(chǎn)業(yè)基地項(xiàng)目合作協(xié)議。
根據(jù)協(xié)議，紫光集團(tuán)將在重慶兩江新區(qū)發(fā)起設(shè)立紫光國(guó)芯集成電路股份有限公司，建設(shè)包括DRAM總部研發(fā)中心在內(nèi)的紫光DRAM事業(yè)群總部、DRAM存儲(chǔ)芯片制造工廠、紫光科技園等。
2019年6月30日，紫光集團(tuán)發(fā)布公告，成立DRAM事業(yè)部。
青島城芯半導(dǎo)體科技有限公司
（城芯半導(dǎo)體，12英寸）
但截止目前，城芯半導(dǎo)體沒(méi)有任何實(shí)質(zhì)性進(jìn)展。
青島城芯半導(dǎo)體科技有限公司計(jì)劃建設(shè)一條月產(chǎn)4萬(wàn)片的12英寸模擬集成電路芯片生產(chǎn)線。
2018年7月5日，矽力杰12英寸先進(jìn)模擬芯片集成電路產(chǎn)業(yè)化項(xiàng)目簽約，項(xiàng)目共同投資約180億元人民幣，建設(shè)一條12英寸模擬集成電路芯片生產(chǎn)線，規(guī)劃產(chǎn)能每月可達(dá)4萬(wàn)片。
據(jù)悉，矽力杰半導(dǎo)體項(xiàng)目未來(lái)規(guī)劃建設(shè)2條12英寸模擬集成電路芯片生產(chǎn)線，1條8英寸模擬集成電路芯片生產(chǎn)線。
實(shí)際上，青島城芯要建設(shè)的12英寸生產(chǎn)線就是矽力杰半導(dǎo)體青島項(xiàng)目，令人疑惑的是，除青島項(xiàng)目外，目前有多個(gè)地方園區(qū)收到矽力杰晶圓廠的計(jì)劃書(shū)。
四川中科晶芯集成電路制造有限責(zé)任公司
（中科晶芯，8英寸）
2019年5月15日，中國(guó)華冶科工集團(tuán)有限公司、中國(guó)電子系統(tǒng)工程第二建設(shè)有限公司組成聯(lián)合體與中科晶芯集成電路制造有限公司在成都簽訂了8寸圓晶廠項(xiàng)目合作意向書(shū)，據(jù)悉，工廠將在綿陽(yáng)設(shè)立。
但截止目前，中科晶芯沒(méi)有任何實(shí)質(zhì)性進(jìn)展。
贛州名芯半導(dǎo)體項(xiàng)目
（贛州名芯，8英寸）
2019年6月6日，贛州經(jīng)開(kāi)區(qū)與名芯有限公司、電子科技大學(xué)廣東電子信息工程研究院簽訂三方合作框架協(xié)議，總投資200億元的名芯半導(dǎo)體項(xiàng)目順利落戶。
據(jù)悉，項(xiàng)目分兩期建設(shè)：一期投資60億元，建設(shè)一條8英寸功率晶圓生產(chǎn)線；二期投資120-140億元，規(guī)劃建設(shè)第三代6/8英寸晶圓制造生產(chǎn)線或12英寸硅基晶圓制造生產(chǎn)線。
項(xiàng)目涉及的產(chǎn)品類型包括IGBT、功率MOS、功率IC、電源管理芯片等，覆蓋全球功率器件領(lǐng)域全部類別中80%品種。
同時(shí)，項(xiàng)目規(guī)劃建設(shè)與晶圓關(guān)聯(lián)的封測(cè)工廠、IC設(shè)計(jì)公司、微電子研究院等三個(gè)項(xiàng)目。
截止目前，公司都還沒(méi)有注冊(cè)。
停擺篇
南京紫光存儲(chǔ)科技控股有限公司
（紫光南京，12英寸）
目前項(xiàng)目處于事實(shí)停工狀態(tài)，工地已經(jīng)是草長(zhǎng)鶯飛。
2018年9月30日，紫光南京半導(dǎo)體產(chǎn)業(yè)基地項(xiàng)目項(xiàng)目開(kāi)工，總投資300億美元。據(jù)悉，南京基地原計(jì)劃生產(chǎn)64層3D NAND芯片。
項(xiàng)目一期投資約105億美元，月產(chǎn)芯片10萬(wàn)片，主要產(chǎn)品為3D NAND Flash、DRAM存儲(chǔ)芯片等。預(yù)估項(xiàng)目全部建成將可形成月產(chǎn)12英寸3D NAND存儲(chǔ)器芯片30萬(wàn)片。
格芯（成都）集成電路制造有限公司
（格芯成都，12英寸）
2019年初，格芯（成都）集成電路制造有限公司已經(jīng)事實(shí)停擺。
2018年10月26日，格芯與成都合作伙伴簽署了投資合作協(xié)議修正案。基于市場(chǎng)條件變化、格芯于近期宣布的重新專注于差異化解決方案，以及與潛在客戶的商議，將取消對(duì)成熟工藝技術(shù)（180nm/130nm）的原項(xiàng)目一期投資。同時(shí)，將修訂項(xiàng)目時(shí)間表，以更好地調(diào)整產(chǎn)能，滿足基于中國(guó)的對(duì)差異化產(chǎn)品的需求包括格芯業(yè)界領(lǐng)先的22FDX技術(shù)。
2017年2月10日，格芯宣布正式啟動(dòng)建設(shè)12英寸晶圓成都制造基地，推動(dòng)實(shí)施成都集成電路生態(tài)圈行動(dòng)計(jì)劃，投資規(guī)模累計(jì)超過(guò)100億美元，其中基礎(chǔ)設(shè)施是93億美元，其余為基礎(chǔ)設(shè)施和生態(tài)鏈的建設(shè)，力爭(zhēng)打造中國(guó)大陸單一邏輯產(chǎn)品產(chǎn)能最大的12寸工廠。
格芯12寸晶圓代工廠分兩期建設(shè)，第一期0.18um和0.13um，技術(shù)轉(zhuǎn)移來(lái)自GF新加坡，2018底預(yù)計(jì)產(chǎn)能約2萬(wàn)每月；第二期為重頭戲22nm SOI工藝，2018年開(kāi)始從德國(guó)FAB轉(zhuǎn)移，計(jì)劃2019年投產(chǎn)，預(yù)計(jì)2019年下半年產(chǎn)能達(dá)到約6.5萬(wàn)每月。
德淮半導(dǎo)體有限公司
（德淮，12英寸）
公司目前已經(jīng)處于停滯狀態(tài)。
2018年4月28日生產(chǎn)線核心設(shè)備尼康（Nikon）光刻機(jī)（S308/S206）進(jìn)廠安裝，其中S308可滿足65納米工藝生產(chǎn)，S206可滿足110納米工藝生產(chǎn)。
德淮半導(dǎo)體有限公司是一家專注于CMOS影像傳感器的半導(dǎo)體公司，總投資預(yù)計(jì)約500億人民幣。規(guī)劃建設(shè)三個(gè)12英寸CMOS圖像傳感器專屬晶圓廠。項(xiàng)目首期預(yù)計(jì)投入150億元，為年產(chǎn)24萬(wàn)片的12英寸晶圓廠。
2016年1月19日公司注冊(cè)成立；2016年3月27日12英寸晶圓廠破土動(dòng)工；2016年4月1日在日本成立芯片設(shè)計(jì)公司；2016年12月與意法半導(dǎo)體簽署工藝授權(quán)；2016年12月與安森美半導(dǎo)體簽署CIS產(chǎn)品和技術(shù)授權(quán)；2017年6月公司舉行封頂儀式。
德科碼（南京）半導(dǎo)體科技有限公司
（德科碼南京，8英寸）
2019年，工地現(xiàn)場(chǎng)已經(jīng)人去樓空，廠房已經(jīng)成為爛尾樓。
2015年10月，德科碼（南京）半導(dǎo)體科技有限公司成立，服務(wù)于南京半導(dǎo)體項(xiàng)目籌建；并與南京經(jīng)濟(jì)技術(shù)開(kāi)發(fā)區(qū)簽署并執(zhí)行南京8英寸和12英寸晶圓廠項(xiàng)目。
2015年11月27日項(xiàng)目簽約，總投資25億美元。項(xiàng)目將分期建設(shè)，一期項(xiàng)目為8英寸晶圓廠一座，規(guī)劃月產(chǎn)能40000片晶圓，以電源管理芯片、微機(jī)電系統(tǒng)芯片生產(chǎn)為主。2017年8月21日宣布獲得以色列TowerJazz技術(shù)支持。
一期建設(shè)8英寸晶圓廠，總投資5億美元，以自主設(shè)計(jì)的圖像傳感器芯片制造為主，預(yù)計(jì)投產(chǎn)后產(chǎn)能可達(dá)4萬(wàn)片/月；二期項(xiàng)目為12英寸晶圓廠，總投資20億美元，投產(chǎn)后產(chǎn)能可達(dá)2萬(wàn)片/月。
2016年6月8日項(xiàng)目奠基，2017年2月全面啟動(dòng)廠區(qū)土木與機(jī)電建設(shè)工程。2018年2月舉行上梁儀式。
據(jù)悉，地方政府已經(jīng)推出一系列優(yōu)惠政策，希望有公司可以接手該項(xiàng)目。
江蘇中璟航天半導(dǎo)體實(shí)業(yè)發(fā)展有限公司
（中璟航天，8英寸）
目前暫時(shí)處于停滯狀態(tài)。
2019年4月盱眙政府表示，現(xiàn)階段，中璟項(xiàng)目的推進(jìn)工作有了一定的成效，但還未形成規(guī)模，盱眙會(huì)進(jìn)一步落實(shí)項(xiàng)目主體責(zé)任，助推項(xiàng)目取得實(shí)質(zhì)性的發(fā)展。
2017年，中璟航天半導(dǎo)體8英寸晶圓制造項(xiàng)目落戶小龍蝦之鄉(xiāng)淮安市盱眙縣，盱眙成為全國(guó)第三個(gè)引進(jìn)8英寸生產(chǎn)線的縣城。
據(jù)悉，項(xiàng)目晶圓制造為核心，打造半導(dǎo)體全產(chǎn)業(yè)鏈全域化、國(guó)家級(jí)半導(dǎo)體產(chǎn)業(yè)基地，創(chuàng)建以產(chǎn)學(xué)研、創(chuàng)融投相結(jié)合的共融共生全生態(tài)循環(huán)經(jīng)濟(jì)發(fā)展模式，實(shí)現(xiàn)真正的“中國(guó)芯”。當(dāng)時(shí)項(xiàng)目方表示，項(xiàng)目總投資120億元，其中兩條年產(chǎn)24萬(wàn)片8英寸CIS晶圓制造廠的投資為60億元，原預(yù)計(jì)將于2018年12月底前竣工投產(chǎn)。
2018年4月在南京舉行的“2018中國(guó)半導(dǎo)體市場(chǎng)年會(huì)暨第七屆集成電路產(chǎn)業(yè)創(chuàng)新大會(huì)”上，中璟航天獲得賽迪顧問(wèn)頒發(fā)的“最具成長(zhǎng)力企業(yè)獎(jiǎng)”和“投資新銳獎(jiǎng)”兩個(gè)獎(jiǎng)項(xiàng)。
中璟航天實(shí)力如何，筆者不得而知。但是中璟航天確實(shí)是高調(diào)。
2017年3月11日，中璟航天半導(dǎo)體宣布投資近40億美元的12英寸CIS晶圓廠落戶成都郫都區(qū)，沒(méi)有下文；2017年4月22日宣布投資60億元半導(dǎo)體生產(chǎn)基地項(xiàng)目落戶廣東江門(mén)市開(kāi)平翠山湖科技園，無(wú)疾而終；2018年4月28日，江蘇發(fā)布了《2018年省重大項(xiàng)目名單》，在第二部分“前期工作項(xiàng)目”中，我們也發(fā)現(xiàn)有“如皋中璟航天第三代化合物半導(dǎo)體”，沒(méi)有動(dòng)靜了。
二、化合物項(xiàng)目
1、投產(chǎn)篇
廈門(mén)士蘭明鎵化合物半導(dǎo)體有限公司
（士蘭明鎵，6/4英寸，砷化鎵/氮化鎵）
士蘭化合物半導(dǎo)體生產(chǎn)線項(xiàng)目于2019年12月23日投產(chǎn)，計(jì)劃7款產(chǎn)品逐步投入量產(chǎn)，將于2021年達(dá)產(chǎn)。
士蘭化合物半導(dǎo)體項(xiàng)目由廈門(mén)士蘭明鎵化合物半導(dǎo)體有限公司負(fù)責(zé)實(shí)施運(yùn)營(yíng)，公司注冊(cè)資本為8億元，其中廈門(mén)半導(dǎo)體投資集團(tuán)以貨幣出資5.6億元，占股70%；士蘭微以貨幣出資2.4億元，占股30%。
項(xiàng)目總投資50億元，建設(shè)4/6英寸兼容先進(jìn)化合物半導(dǎo)體器件生產(chǎn)線，主要產(chǎn)品包括下一代光模塊芯片、5G與射頻相關(guān)模塊、高端LED芯片產(chǎn)品。分兩期實(shí)施，其中，項(xiàng)目一期投資20億元，2019年底投產(chǎn)，2021年投產(chǎn)；項(xiàng)目二期投資30億元，計(jì)劃2021年啟動(dòng)，2024年達(dá)產(chǎn)。
2018年10月18日，項(xiàng)目舉行開(kāi)工典禮；2019年4月主廠房封頂；6月進(jìn)入設(shè)備安裝調(diào)試階段，砷化鎵與氮化鎵芯片產(chǎn)品已分別于10月18日、12月10日正式通線點(diǎn)亮。
2、產(chǎn)能爬坡篇
英諾賽科（珠海）科技有限公司
（英諾賽科珠海，8英寸，氮化鎵）
2019年8英寸硅基氮化鎵生產(chǎn)線產(chǎn)能進(jìn)一步提升，公司現(xiàn)有三臺(tái)世界領(lǐng)先的針對(duì)8英寸硅基氮化鎵外延的產(chǎn)業(yè)化設(shè)備G5+ MOCVD機(jī)臺(tái)。
2017年11月9日，英諾賽科（珠海）科技有限公司8英寸硅基氮化鎵生產(chǎn)線通線投產(chǎn)。主要產(chǎn)品包括8英寸硅基氮化鎵晶圓及100V-650V氮化鎵功率器件。
株洲中車時(shí)代半導(dǎo)體有限公司
（株洲中車，6英寸，碳化硅）
株洲中車時(shí)代半導(dǎo)體有限公司成立于2019年1月18日，承接株洲中車時(shí)代電氣股份有限公司半導(dǎo)體事業(yè)部的現(xiàn)有資產(chǎn)、負(fù)債及業(yè)務(wù)。專業(yè)從事大功率半導(dǎo)體器件的研發(fā)與制造，是我國(guó)最早開(kāi)發(fā)大功率半導(dǎo)體器件的單位之一，全面掌握晶閘管、整流管、IGCT（集成門(mén)極換流晶閘管）、IGBT（絕緣柵雙極晶體管）、SiC（碳化硅）器件及功率組件全套技術(shù)。
2018年1月，在中國(guó)科學(xué)院微電子研究所的技術(shù)支持和協(xié)助下，株洲中車6英寸碳化硅（SiC）芯片生產(chǎn)線順利完成技術(shù)調(diào)試，廠務(wù)、動(dòng)力、工藝、測(cè)試條件均已完備，可實(shí)現(xiàn)4英寸及6英寸SiC SBD、PiN、MOSFET等器件的研發(fā)與制造。這是國(guó)內(nèi)首條6英寸碳化硅生產(chǎn)線。
生產(chǎn)廠房2017年8月交付使用，12月SiC芯片生產(chǎn)線便完成了工藝設(shè)備技術(shù)調(diào)試，2018年1月首批芯片試制成功。
蘇州能訊高能半導(dǎo)體有限公司
（蘇州能詡，4英寸，氮化鎵）
2019年5月，蘇州能訊高能半導(dǎo)體有限公司4英寸氮化鎵芯片產(chǎn)線建成。
蘇州能訊高能半導(dǎo)體有限公司3英寸氮化鎵器件生產(chǎn)線于2011年開(kāi)始建設(shè)；2013年試生產(chǎn)，2014年投產(chǎn)，2015年開(kāi)始批量生產(chǎn)。2017年開(kāi)始轉(zhuǎn)換4英寸。
能訊半導(dǎo)體采用整合設(shè)計(jì)與制造（IDM）的模式，自主開(kāi)發(fā)了氮化鎵材料生長(zhǎng)、芯片設(shè)計(jì)、晶圓工藝、封裝測(cè)試、可靠性與應(yīng)用電路技術(shù)。目前完成了面向5G通信系統(tǒng)的技術(shù)與產(chǎn)品的積累，產(chǎn)品性能已通過(guò)國(guó)際一流通訊企業(yè)的測(cè)試與認(rèn)證。
江蘇能華微電子科技發(fā)展有限公司
（江蘇能華，4/6英寸，氮化鎵）
2017年11月15日公司生產(chǎn)線正式投產(chǎn)后，產(chǎn)能一直在穩(wěn)定提升中。
江蘇能華微電子科技發(fā)展有限公司是專業(yè)設(shè)計(jì)、研發(fā)，生產(chǎn)、制造和銷售以氮化鎵（GaN）為代表的復(fù)合半導(dǎo)體高性能晶圓、以及用其做成的功率器件、芯片和模塊的高科技公司。
3、在建篇
英諾賽科（蘇州）半導(dǎo)體有限公司
（英諾賽科蘇州，8英寸，氮化鎵/碳化硅）
2019年8月29日主廠房封頂，預(yù)計(jì)12月底生產(chǎn)設(shè)備正式進(jìn)廠，2020年投產(chǎn)。
2018年6月23日開(kāi)工，計(jì)劃在5年內(nèi)完成投資60億，達(dá)產(chǎn)后，月產(chǎn)能達(dá)6萬(wàn)片。項(xiàng)目將聚焦在氮化鎵和碳化硅等核心產(chǎn)品，目標(biāo)是打造一個(gè)包括理論研究、材料研發(fā)與制造、器件設(shè)計(jì)、芯片制造、封裝測(cè)試、失效分析和應(yīng)用驗(yàn)證等全產(chǎn)業(yè)鏈半導(dǎo)體研發(fā)基地。為5G通信、新能源汽車、智能制造、人工智能、電子信息、大數(shù)據(jù)等領(lǐng)域提供更先進(jìn)的、高效、節(jié)能和低成本的核心半導(dǎo)體芯片。
北京世紀(jì)金光半導(dǎo)體有限公司
（世紀(jì)金光，6英寸，碳化硅）
2018年2月1日，北京世紀(jì)金光半導(dǎo)體有限公司6英寸碳化硅器件生產(chǎn)線成功通線。截止目前，工藝還在調(diào)試中。
北京世紀(jì)金光半導(dǎo)體有限公司成立于2010年12月24日，其前身為中原半導(dǎo)體研究所。公司主營(yíng)寬禁帶半導(dǎo)體晶體材料、外延和器件的研發(fā)與生產(chǎn)。
濟(jì)南富能半導(dǎo)體有限公司
（富能半導(dǎo)體，6英寸，碳化硅）
2019年12月4日，富能半導(dǎo)體一期項(xiàng)目成功封頂。
2019年3月15日，富能半導(dǎo)體一期項(xiàng)目舉行樁基工程。據(jù)悉一期項(xiàng)目投資60億元，建設(shè)月產(chǎn)3萬(wàn)片8英寸硅基半導(dǎo)體功率芯片（MOSFET、IGBT）和月產(chǎn)一千片的6英寸碳化硅功率器件的產(chǎn)能，產(chǎn)品覆蓋消費(fèi)、工業(yè)、電網(wǎng)以及新能源車的應(yīng)用，計(jì)劃2020年底實(shí)現(xiàn)量產(chǎn)。
富能半導(dǎo)體成立于2018年11月8日，法人代表陳昱升，持股40%，另60%的持有人是濟(jì)南富杰產(chǎn)業(yè)投資基金；富能半導(dǎo)體項(xiàng)目規(guī)劃建設(shè)月產(chǎn)10萬(wàn)片的兩個(gè)8英寸廠及一個(gè)月產(chǎn)5萬(wàn)片的12英寸廠。
濟(jì)南富杰產(chǎn)業(yè)投資基金的股東包括濟(jì)南產(chǎn)業(yè)發(fā)展投資集團(tuán)有限公司、思華（北京）投資管理有限公司、富士邁半導(dǎo)體精密工業(yè)（上海）有限公司、鴻富晉精密工業(yè)（太原）有限公司、訊芯電子科技（中山）有限公司。
富士邁半導(dǎo)體、鴻富晉、訊芯電子都是富士康集團(tuán)的關(guān)聯(lián)企業(yè)，這也說(shuō)明該項(xiàng)目確實(shí)和富士康有一定的關(guān)系。
4、規(guī)劃篇
上海積塔半導(dǎo)體有限公司
（積塔半導(dǎo)體，6英寸，碳化硅）
積塔半導(dǎo)體特色工藝生產(chǎn)線項(xiàng)目總投資359億元，目標(biāo)是建設(shè)月產(chǎn)能6萬(wàn)片的8英寸生產(chǎn)線和5萬(wàn)片12英寸特色工藝生產(chǎn)線，還將建設(shè)一條6英寸碳化硅生產(chǎn)線，將在國(guó)內(nèi)首家實(shí)現(xiàn)12英寸65納米BCD工藝，建設(shè)一條汽車級(jí)IGBT專用生產(chǎn)線。
產(chǎn)品重點(diǎn)面向工控、汽車、電力、能源等領(lǐng)域，將顯著提升中國(guó)功率器件（IGBT）、電源管理、傳感器等芯片的核心競(jìng)爭(zhēng)力和規(guī)?；a(chǎn)能力。
5、停擺篇
北京雙儀微電子科技有限公司
（北京雙儀，6英寸，砷化鎵）
目前項(xiàng)目終止。
2018年7月30日，北京雙儀微電子科技有限公司宣布擬投資10億元，租賃北京燕東微電子科技有限公司的部分廠房建設(shè)具備規(guī)?；慨a(chǎn)能力的先進(jìn)工藝技術(shù)生產(chǎn)線，進(jìn)行6英寸砷化鎵微波集成電路（GaAs MMIC）芯片的代工服務(wù)，該項(xiàng)目預(yù)計(jì)于2019年初投產(chǎn)使用，規(guī)劃每月2萬(wàn)片產(chǎn)能。
北京雙儀微電子科技有限公司是一家技術(shù)初創(chuàng)公司，旨在為5G和IoT毫米波市場(chǎng)領(lǐng)域所遇到的挑戰(zhàn)開(kāi)發(fā)出新的解決方案，提供高性能的射頻組件。
2020年特別關(guān)注項(xiàng)目
2020年關(guān)注以下項(xiàng)目，看命運(yùn)如何？
福建省晉華集成電路有限公司：2020能否滿血復(fù)活
芯恩（青島）集成電路有限公司：鐵打的營(yíng)盤(pán)流水的兵
江蘇時(shí)代芯存半導(dǎo)體有限公司：花開(kāi)花落終有期
武漢弘芯半導(dǎo)體制造有限公司：熊心撞志當(dāng)老二
泉芯集成電路制造（濟(jì)南）有限公司：千金散盡還復(fù)來(lái)
紫光DRAM項(xiàng)目：猶抱琵笆半遮面 | 
陜公安網(wǎng)備 61019002000194號(hào)