6月30日，“功率及化合物半導(dǎo)體國(guó)際產(chǎn)業(yè)論壇”于SEMICON China 2023同期在上海卓美亞喜瑪拉雅酒店成功舉辦。共有19位來(lái)自功率及化合物半導(dǎo)體產(chǎn)業(yè)鏈領(lǐng)先企業(yè)的講師親臨現(xiàn)場(chǎng)做報(bào)告分享，產(chǎn)業(yè)界超300余位觀眾參加了本次論壇。
SEMI全球副總裁，中國(guó)區(qū)總裁居龍先生，出席會(huì)議并現(xiàn)場(chǎng)致辭。居總對(duì)參加本次會(huì)議的嘉賓及觀眾表示感謝并同大家分享了半導(dǎo)體產(chǎn)業(yè)的近況和展望?，F(xiàn)階段整個(gè)半導(dǎo)體產(chǎn)業(yè)還在一個(gè)下行的周期，但是在功率及化合物半導(dǎo)體產(chǎn)業(yè)還是有所成長(zhǎng)，一些新應(yīng)用比如新能源車在推動(dòng)著產(chǎn)業(yè)的發(fā)展，所以雖然現(xiàn)在是”寒潮彌昧待春暖”，但是在這個(gè)產(chǎn)業(yè)里大家還是充滿了希望，在未來(lái)功率及化合物半導(dǎo)體產(chǎn)業(yè)還有很大的成長(zhǎng)空間。同時(shí)居總提到網(wǎng)上盛傳，"上海的天氣非常熱，但是比天氣更火熱的就是SEMICON China 2023"，今年展場(chǎng)非常的火爆，也代表了整個(gè)半導(dǎo)體產(chǎn)業(yè)對(duì)未來(lái)的景氣度充滿了期待，最后居總預(yù)祝本次大會(huì)圓滿成功。
江蘇能華創(chuàng)始人兼總經(jīng)理朱廷剛就《日益滲透的氮化鎵功率應(yīng)用》做了演講。GaN材料在高頻領(lǐng)域的應(yīng)用具有絕對(duì)的優(yōu)勢(shì)，在目前的產(chǎn)業(yè)生態(tài)下，GaN有諸多的技術(shù)路線，也有很多應(yīng)用場(chǎng)景；功率器件在碳中和的路上是沒有終點(diǎn)的， 與SiC相比，GaN作為非常成熟的產(chǎn)業(yè)鏈，在功率器件的比賽中，這個(gè)優(yōu)勢(shì)將會(huì)讓GaN插上翅膀。IDM加Foundry模式也將更好地助力江蘇能華在GaN功率器件應(yīng)用領(lǐng)域的貢獻(xiàn)。
泛林集團(tuán)客戶支持事業(yè)部戰(zhàn)略營(yíng)銷副總裁David Haynes分享了《為先進(jìn)功率電子提供硅刻蝕解決方案》的演講。特殊制程在半導(dǎo)體器件中的占比一直在提高，在汽車，新能源等推動(dòng)下，尤其是功率器件，市場(chǎng)有很大的需求。而今后，硅功率器件依然十分重要，會(huì)保持在80%的份額。硅功率器件在良率和器件創(chuàng)新等方面還有很多的挑戰(zhàn)，泛林集團(tuán)將在各領(lǐng)域陪客戶一起應(yīng)對(duì)半導(dǎo)體生產(chǎn)過(guò)程中的挑戰(zhàn)。
山東天岳CTO高超探討了《碳化硅單晶襯底制備技術(shù)和產(chǎn)業(yè)相關(guān)進(jìn)展》。SiC的應(yīng)用領(lǐng)域正在不斷地拓展，SiC襯底在MOS器件中成本占比大約在50%，而目前襯底的生長(zhǎng)和加工依然還有很多的挑戰(zhàn)，比如生長(zhǎng)速度慢、質(zhì)地硬、難以加工和切割等。SiC的生長(zhǎng)挑戰(zhàn)有晶體的品質(zhì)和大直徑，可以預(yù)見8寸SiC的襯底成本短期不會(huì)降低，不過(guò)隨著技術(shù)的提高，將來(lái)必然會(huì)有效降低成本的。山東天岳一直在提升其SiC襯底的技術(shù)指標(biāo)，致力于推動(dòng)SiC器件的發(fā)展。
潤(rùn)新微電子副總經(jīng)理王榮華帶來(lái)了《后快充時(shí)代的氮化鎵功率器件產(chǎn)業(yè)化》的演講。消費(fèi)類市場(chǎng)對(duì)于GaN領(lǐng)域是一個(gè)開端，GaN在工業(yè)電子和汽車電子領(lǐng)域的應(yīng)用也逐漸越來(lái)越重要。在后快充時(shí)代，GaN從業(yè)者需要考慮如何在消費(fèi)電子的紅海市場(chǎng)中競(jìng)爭(zhēng)，還有如何向工業(yè)電子和汽車電子領(lǐng)域發(fā)展業(yè)務(wù)。消費(fèi)電子追求極致的性價(jià)比，需要大規(guī)模經(jīng)濟(jì)效益的產(chǎn)能，高端的應(yīng)用市場(chǎng)需要從外延、器件等方面追求更高的可靠性。潤(rùn)新微電子將致力于推動(dòng)GaN的應(yīng)用與發(fā)展。
應(yīng)用材料ICAPS副總裁兼總經(jīng)理ZHENG YUAN探討了《下一代電力電子 - 大批量制造中擴(kuò)展的挑戰(zhàn)和解決方案》。2030年半導(dǎo)體市場(chǎng)將達(dá)到1萬(wàn)億美金，面對(duì)如此巨大的市場(chǎng)，現(xiàn)在對(duì)成熟制程和功率器件將是很好的一個(gè)時(shí)機(jī)。對(duì)于半導(dǎo)體器件而言，下一個(gè)電力電子時(shí)代，清潔能源，電動(dòng)汽車等領(lǐng)域?qū)⑼苿?dòng)功率型器件的增長(zhǎng)，尤其是SiC功率器件。應(yīng)用材料將在SiC器件產(chǎn)業(yè)化的領(lǐng)域持續(xù)為客戶提供優(yōu)質(zhì)的解決方案。
北方華創(chuàng)戰(zhàn)略發(fā)展部副總裁王娜分享了《國(guó)產(chǎn)碳化硅裝備助力三代半產(chǎn)業(yè)騰飛》。在ChatGPT時(shí)代下，能源的需求將大幅增加，SiC材料在能源方面的應(yīng)用會(huì)越來(lái)越廣泛。碳化硅是未來(lái)十年半導(dǎo)體發(fā)展最好的方向，未來(lái)中國(guó)必將成為全球碳化硅創(chuàng)新和供應(yīng)中心。北方華創(chuàng)將持續(xù)助力SiC產(chǎn)業(yè)技術(shù)創(chuàng)新發(fā)展，攜手共促SiC產(chǎn)業(yè)高質(zhì)量發(fā)展。北方華創(chuàng)圍繞SiC產(chǎn)業(yè)鏈打造全面裝備解決方案，提供長(zhǎng)晶、外延、刻蝕、薄膜、高溫氧化/激活等多種核心裝備解決方案，已實(shí)現(xiàn)批量應(yīng)用，全力支持客戶技術(shù)創(chuàng)新和迭代。
德國(guó)愛思強(qiáng)中國(guó)區(qū)總經(jīng)理方子文深入剖析了《化合物半導(dǎo)體的高產(chǎn)能外延解決方案》。目前汽車應(yīng)用是SiC器件應(yīng)用的一個(gè)驅(qū)動(dòng)力，GaN的應(yīng)用市場(chǎng)也不容小覷，還有Micro LED和激光器的應(yīng)用也在不斷增長(zhǎng)。外延層摻雜濃度的穩(wěn)定性和一致性對(duì)器件的生長(zhǎng)至關(guān)重要。愛思強(qiáng)專注于外延設(shè)備，幫助客戶在SiC，GaN和Micro LED生產(chǎn)領(lǐng)域的獲得更低的成本和更高的產(chǎn)能。
常州臻晶總經(jīng)理兼董事長(zhǎng)陸敏關(guān)于《6英寸液相法碳化硅長(zhǎng)晶技術(shù)進(jìn)展》作了匯報(bào)。常州臻晶致力于液相法碳化硅半導(dǎo)體材料和液相法單晶爐設(shè)備的研發(fā)和制造。液相法是碳化硅長(zhǎng)晶三大技術(shù)之一，比起PVT和HTCVD，液相法具有擴(kuò)徑容易、Al摻雜容易、長(zhǎng)晶速度大、良率高的優(yōu)勢(shì)。液相法在中國(guó)、日本、韓國(guó)均有不同程度的進(jìn)展，陸博士分析認(rèn)為液相法的產(chǎn)業(yè)化將推動(dòng)行業(yè)發(fā)展更多的技術(shù)路線，如SiC IGBT的發(fā)展成為可能。
意法半導(dǎo)體亞太區(qū)功率分立和模擬產(chǎn)品器件部市場(chǎng)和應(yīng)用副總裁Francesco MUGGERI，就《塑造一個(gè)更綠色的明天： 創(chuàng)新技術(shù)對(duì)可持續(xù)性的影響》發(fā)表演講。世界能源的需求量劇增，2020至2030年之間電力需求將增長(zhǎng)30%，將帶來(lái)更多的二氧化碳排放和全球溫度提升，能源的可持續(xù)發(fā)展將越來(lái)越重要。意法半導(dǎo)體在SiC MOSFET領(lǐng)域有領(lǐng)先的地位，并且也在積極推動(dòng)GaN的發(fā)展。2027年意法半導(dǎo)體將達(dá)成零碳排放，意法半導(dǎo)體的產(chǎn)品也將給客戶帶來(lái)節(jié)能減排，創(chuàng)造更好的世界。
魯汶儀器董事長(zhǎng)兼CEO許開東帶來(lái)了《刻蝕-沉積一體化賦能化合物半導(dǎo)體功率器件的大規(guī)模制造》的演講。化合物半導(dǎo)體器件制程技術(shù)的復(fù)雜程度在不斷的提升，例如對(duì)于刻蝕，溝槽的深寬比越來(lái)越高，SiC的硬度很高，這就對(duì)刻蝕的工藝產(chǎn)生了很大的挑戰(zhàn)；另外均勻的薄膜沉積也對(duì)器件的性能至關(guān)重要。魯汶儀器的刻蝕和沉積發(fā)展將助力于SiC和GaN功率器件的創(chuàng)新和發(fā)展，為功率半導(dǎo)體大規(guī)模制造做出推動(dòng)貢獻(xiàn)。
Axcelis的應(yīng)用科學(xué)家Fulvio Mazzamuto通過(guò)探討《寬禁帶半導(dǎo)體制造中離子注入技術(shù)進(jìn)展》提出， 近年來(lái)，我們看到了SiC器件市場(chǎng)規(guī)?？焖俚脑鲩L(zhǎng)。隨著需求的增長(zhǎng)，應(yīng)用領(lǐng)域的拓寬，SiC器件生產(chǎn)過(guò)程中需要節(jié)深條件越來(lái)越極端，GaN器件的市場(chǎng)也出現(xiàn)了離子注入的需求。Axcelis將持續(xù)為功率器件的制造商提供離子注入的解決方案，幫助客戶降低成本，提升產(chǎn)品可靠性。
蔡司顯微鏡全球半導(dǎo)體業(yè)務(wù)負(fù)責(zé)人Thomas Rodgers就《Microscopy Methods for Failure Analysis in Power Semiconductors》展開討論。從襯底制造，到器件，再到封裝，電子顯微鏡可以應(yīng)用在化合物半導(dǎo)體各個(gè)階段。擁有多年的電子束光學(xué)的技術(shù)積累，蔡司電子顯微系統(tǒng)的電子束圖像擁有優(yōu)秀的襯度，讓工程師在產(chǎn)品研發(fā)和失效分析的時(shí)候，對(duì)目標(biāo)區(qū)域進(jìn)行準(zhǔn)確的觀察。蔡司還有諸多其他類別的產(chǎn)品線，從各個(gè)方面，幫助科研和工程師對(duì)各類材料進(jìn)行分析。
SPTS的產(chǎn)品管理副總裁Dave Thomas圍繞《寬禁帶半導(dǎo)體的先進(jìn)等離子體刻蝕和沉積工藝》發(fā)表演講。電動(dòng)汽車市場(chǎng)的快速增長(zhǎng)是功率器件市場(chǎng)增長(zhǎng)的重要因素，5G的推動(dòng)也是RF器件市場(chǎng)急速攀升，化合物半導(dǎo)體市場(chǎng)前景廣闊。隨著應(yīng)用領(lǐng)域的推進(jìn)，SiC器件對(duì)于刻蝕和薄膜沉積的工藝需求越來(lái)越復(fù)雜，器件的生產(chǎn)和品質(zhì)把控受到了諸多挑戰(zhàn)。SPTS將和客戶一起，持續(xù)不斷地迎接SiC制程技術(shù)上的挑戰(zhàn)。
大族半導(dǎo)體技術(shù)副總經(jīng)理巫禮杰在《激光技術(shù)在功率及化合物半導(dǎo)體產(chǎn)業(yè)的應(yīng)用》的演講中提到，激光加工技術(shù)在功率器件、先進(jìn)封裝等領(lǐng)域中應(yīng)用廣闊，可以做到為襯底切片，激光退火等等。大族半導(dǎo)體成立于2010年，專注于激光切割技術(shù)。SiC材料硬度極高，傳統(tǒng)采用多線切割，材料損耗大，效率慢，成為制約行業(yè)發(fā)展的技術(shù)瓶頸，隨著晶圓尺寸從6寸增加到8寸，傳統(tǒng)線切割面臨更大挑戰(zhàn)。大族半導(dǎo)體激光技術(shù)裝備將為SiC襯底制備提供助力，讓客戶的SiC襯底成本更小，產(chǎn)量更高。
賽默飛世爾科技市場(chǎng)及業(yè)務(wù)拓展資深經(jīng)理曹瀟瀟就《Towards More Powerful and Reliable Devices - Thermo Fisher R&D and FA Solutions》展開論述?；衔锇雽?dǎo)體處在高速增長(zhǎng)的市場(chǎng)當(dāng)中，但同時(shí)與傳統(tǒng)的硅基器件有更多的挑戰(zhàn)，比如晶體生長(zhǎng)中的缺陷、量子井的膜層厚度控制等等。賽默飛的電鏡產(chǎn)品在化合物半導(dǎo)體產(chǎn)業(yè)領(lǐng)域有非常豐富的應(yīng)用經(jīng)驗(yàn)，幫助客戶快速找晶體、器件出生產(chǎn)過(guò)程中出現(xiàn)的缺陷。半導(dǎo)體行業(yè)進(jìn)入到了新的時(shí)代，賽默飛世爾的將助力半導(dǎo)體產(chǎn)業(yè)，通過(guò)納米技術(shù)，幫助產(chǎn)業(yè)科研人員加速研發(fā)進(jìn)行，提升產(chǎn)品良率。
協(xié)微環(huán)境CTO，Kirel Tang分析了《第三代化合物半導(dǎo)體工藝尾氣的安全環(huán)保解決方案》。尾氣處理設(shè)備在半導(dǎo)體制造設(shè)備中非常重要，它會(huì)吸收工藝過(guò)程中的有毒有害物質(zhì)，化合物半導(dǎo)體的制程工藝對(duì)廢棄的排放和環(huán)境的保護(hù)提出了更多的挑戰(zhàn)。比如在LED生產(chǎn)中，MOCVD制程產(chǎn)生的氫氣和氨氣；SiC襯底生長(zhǎng)過(guò)程中也有大量的氫氣和氯化氫氣體產(chǎn)生，這些都危害生產(chǎn)的安全和人員的安全，需要解決。協(xié)微環(huán)境專注于提供客戶廢氣處理解決方案，為客戶提供安全的生產(chǎn)環(huán)境。
泰科天潤(rùn)應(yīng)用測(cè)試中心總監(jiān)高遠(yuǎn)在《我們需要什么樣的SiC MOSFET》的演講中提出，因?yàn)樵诠I(yè)和汽車領(lǐng)域的應(yīng)用，SiC器件的可靠性要求要高于其他功率器件。我們需要的是可靠性高，電性表現(xiàn)一致性好，易用友好的SiC MOSFET器件，同時(shí)價(jià)格能夠讓廠商和客戶雙贏。國(guó)產(chǎn)SiC MOSFET需要穩(wěn)扎穩(wěn)打，跟上國(guó)際發(fā)展腳步不掉隊(duì)就是勝利。泰科天潤(rùn)擁的產(chǎn)線設(shè)備齊全，且擁有成熟的生產(chǎn)經(jīng)驗(yàn)，將不斷為中國(guó)的SiC器件市場(chǎng)發(fā)展做出貢獻(xiàn)，給客戶提供優(yōu)質(zhì)的SiC功率產(chǎn)品。
