臺積電（TSMC）在五月中旬舉行的歐洲技術(shù)研討會上透露，計(jì)劃到2027年將其特殊制程的產(chǎn)能擴(kuò)大50%，以提升半導(dǎo)體供應(yīng)鏈彈性。該計(jì)劃不僅需要轉(zhuǎn)換現(xiàn)有產(chǎn)能以滿足特殊工藝的需求，甚至有可能為此建立新的晶圓廠。
而推動(dòng)這一需求的主要因素之一，將是臺積電的下一個(gè)特殊節(jié)點(diǎn)：N4e，一個(gè)4nm級的超低功耗生產(chǎn)節(jié)點(diǎn)。
據(jù)悉，除了著名的N5和N3E等主要邏輯節(jié)點(diǎn)外，臺積電還為功率半導(dǎo)體、混合模擬I/O和超低功耗應(yīng)用（如物聯(lián)網(wǎng)）等應(yīng)用提供了一系列的特殊制程工藝節(jié)點(diǎn)。目前，臺積電最先進(jìn)的N4e同類工藝是N6e，工作電壓在0.4V至0.9V之間，預(yù)計(jì)未來N4e可能會降至0.4V以下。
