據(jù)金壇融媒報道，5月21日，總投資50億元的半導(dǎo)體封測總部項目簽約儀式在金壇舉行。
據(jù)悉，該項目由制局半導(dǎo)體（江蘇）有限公司投資建設(shè)，擬在華羅庚高新區(qū)新建公司總部，規(guī)劃工業(yè)用地159畝，新建總建筑面積約12.5萬平方米高標(biāo)準(zhǔn)半導(dǎo)體工廠及附屬配套設(shè)施。
其中，項目一期用地59畝，總投資15億元，建設(shè)HI-SiP模組研發(fā)中心、工程技術(shù)中心及半導(dǎo)體先進(jìn)封測基地，以滿足汽車電子、通訊電子、AI、醫(yī)療、航空航天領(lǐng)域先進(jìn)封測和器件模組需求，計劃于2024年開工建設(shè)，2026年上半年建成投產(chǎn)。項目二期用地100畝，總投資35億元，建設(shè)高頻微波、功率、寬禁帶化合物半導(dǎo)體器件及模組制造基地，計劃于2028年開工建設(shè)，2029年建成投產(chǎn)。項目達(dá)產(chǎn)后可實現(xiàn)年產(chǎn)值50億元，稅收3億元以上。
