據(jù)江南大學官微消息，近日，江蘇省重點研發(fā)計劃“產(chǎn)業(yè)前瞻與關鍵核心技術”專項2023年度項目立項名單公示結束，“氮化鎵微波毫米波無線能量轉換芯片關鍵技術研發(fā)”項目獲得立項，這是學校作為主持單位獲得的首個千萬級江蘇省重點研發(fā)項目，總預算2500萬元，省級財政經(jīng)費支持1000萬元。
據(jù)悉，“氮化鎵微波毫米波無線能量轉換芯片關鍵技術研發(fā)”項目由江南大學物聯(lián)網(wǎng)工程學院敖金平教授團隊牽頭組織，聯(lián)合蘇州實驗室、蘇州納維科技有限公司、中國電子科技集團公司第五十五研究所、無錫華潤安盛科技有限公司、南京大學、江蘇能華微電子科技發(fā)展有限公司共同參與，擬在氮化鎵基微波毫米波無線能量轉換芯片相關方面取得突破性進展，并打通從實驗室到產(chǎn)業(yè)化的關鍵環(huán)節(jié)，實現(xiàn)關鍵技術從“實驗室”走向“生產(chǎn)線”。
敖金平教授表示，該項目就是要依托各單位特色優(yōu)勢，在自支撐氮化鎵材料襯底上研發(fā)出高性能、低成本的微波-直流轉換芯片。通過探索新型半導體工藝、先進封測技術來提高芯片穩(wěn)定性、可靠性，團隊有信心整體性能達到國際前沿水平。
據(jù)了解，江南大學建有寬帶隙/超寬禁帶半導體材料與器件實驗室，擁有材料生長和器件工藝超凈間，器件制備用的光刻機、等離子體刻蝕機、磁控濺射臺、快速熱退火系統(tǒng)等全套工藝設備，具有完整的材料生長、器件制備及測試評價能力。敖金平教授團隊有二十多年的 GaN 器件及電路研究經(jīng)歷，先后牽頭/參與完成了科技部重點專項、國家自然科學基金重大/重點項目等多項 GaN 基電子器件相關的科研項目。團隊研發(fā)了多款氮化鎵微波整流芯片，其微波-直流轉換效率達到90%以上，業(yè)內領先。
